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第 8卷 第 3期 实验科学与技术 Vol8 No3
20 10年 6 月 Exp erim en t Science and Technology Jun20 10
电子器件灌封材料的现状及发展趋势
罗 刚
成都电子机械高等专科学校机械系 , 成都 6 1003 1
摘要 : 介绍了电子器件灌封材料的种类 , 阐述了环氧 、有机硅灌封材料的组成 、特性 、应用现状 、存在的问题及其性能优
化改性的方法 。分析了传统灌封材料的缺陷 , 指出了研制绝缘导热灌封材料的作用 。采用对有机硅进行接枝改性并用 A lN
作为无机填料制成复合灌封材料的方案 , 指出了电子器件灌封材料的发展趋势 。
关 键 词 : 电子器件 ; 灌封材料 ; 环氧 ; 有机硅 ; 无机填料
中图分类号 : TQ32 文献标志码 : C 文章编号 : 1672 - 4550 20 10 03 - 0020 - 04
Presen t Situa tion and D evelopm en t Trend of Potting M a ter ia ls
Using in Electron D ev ice
LUO Gang
Chengdu Electrom echan ical College A cadem ic A dm in istration, Chengdu 6 1003 1, Ch ina
A b stract: Th is p ap er in troduce s the k ind s of potting m aterials for electron device s. It elaborate s the component, p rop erties, app lica
tion statu s, existing p rob lem s and m ethod to imp rove the p rop ertie s of epoxy potting m aterials and organ icsilicon potting m aterials.
One analyze s the defects of the traditional potting m aterials and poin ts ou t the goal and m ean ing to investigate the in su lating heat con
duction m aterials. It u se s organ icsilicon and inorgan ic filling A lN powders to fabricate the compound m aterials. One points ou t the de
velopm en t trend of potting m aterials for electron device
Key words: electron device; potting m aterials; epoxy; organ icsilicon; inorgan ic filling
本相对较低 , 成型工艺简单 , 适合大规模生产 , 可
1 引 言
靠性较高 , 因此近十年来发展较快 。目前国外半导
在电
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