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第三章 光電轉換與整合 3.1 光電轉換基本技術 3.2 二維成像訊號處理 3.3 介面處理技術 3.4 影像處理技術 ⊙參考文獻 3.1 光電轉換基本技術 3.1.1 雷射與光源 3.1.2 光電二極體檢測器之選取 3.1.3 光電前置放大訊號處理技術(低頻與高頻) 3.1.4 雷射光量自動技制 3.1.5 類比訊號與數位訊號品質評估 3.1 光電轉換基本技術 3.1.1 雷射與光源 (1)雷射 ①氣體雷射 ②固態雷射 ③半導體雷射 ④液體雷射 ⑤化學雷射 ⑥自由電子雷射 ⑦ X射線雷射 3.1 光電轉換基本技術 3.1.1 雷射與光源 3.1.1 雷射與光源 (1)雷射 ①氣體雷射 3.1.1 雷射與光源 (1)雷射 ② 固態雷射 3.1.1 雷射與光源 (1)雷射 ③ 半導體雷射 3.1.1 雷射與光源 (1)雷射 ④ 液體雷射 3.1.1 雷射與光源 (1)雷射 ⑤ 化學雷射 3.1.1 雷射與光源 (1)雷射 ⑥ 自由電子雷射 直接以電子束產生輻射，不借用任何雷射介質，是目前最佳的遠紅外線及紫外光高功率雷射光源 工作波長約為248nm-8mm，脈衝最大輸出功率可達1GW，輸出模態為TEM，最大缺點是體積過大。 3.1.1 雷射與光源 (1)雷射 ⑦ X射線雷射 3.1.1 雷射與光源 (2)發光二極體光源 利用外加電壓的方式，使二極體內的電子與電洞結合過程中能曼轉換產生光的輸出，其LED材料通常為砷、磷、鎵等Ⅲ－Ⅴ族元素。 3.1.1 雷射與光源 (2)發光二極體光源 ①可見光發光二極體(450-780nm) 高亮度發光二極體材料通常為GaInN+螢光粉、GaN+螢光粉、ZnSe++螢光粉等，白光光源可應用於資訊與通訊產品之背光源或照明類等。另外發光二極體材料(GaInN)亦可應用於交通號誌類或汽車煞車車燈類等用途。 傳統發光二極體材料通常為GaP、GaAsP、AlGaAs等，這些發光二極體應用於通訊產品、資訊產品、家電及民生消費性電子產品等。另外LED材料(AlGaInP)可應用於交通號誌類或汽車方向燈類等領域。 3.1.1 雷射與光源 (2)發光二極體光源 ②非可見光發光二極體(850-1550nm) 紅外光(1300-1500nm)發光二極體材料通常為GaAlAs等，可作為光通訊產品之光源等。 紅外光(800-970nm)發光二極體材料通常為GaAs、GaAlAs等，可應用於資訊與通訊產品之遙控器類及生醫保健產品等。 3.1.1 雷射與光源 (3)氣體放電光譜燈 依燈內不同之氣體或金屬蒸氣，而發出特定光譜波段之光帶。有氘或重氫、電弧燈及鹵素石英燈。 3.1.1 雷射與光源 (4)其他常用燈光源 冷陰極螢光燈管 電激發光元件 電漿發光元件 有機發光二極體 3.1.1 雷射與光源 (5)低電壓驅動/低功率半導體發光元件電路原理與實務 升壓電路： 負阻抗與電感(L)、電容(C)組成振盪器 馳張振盪電路與電感(L)組成升壓振盪電路 3.1 光電轉換基本技術 3.1.2 光電二極體檢測器之選取 (1)光電倍增管 (2)光二極體 (3)累增式二極體 3.1.2 光電二極體檢測器之選取 (1)光電倍增管 一個超高度真空的玻璃管，其中向光的一面塗有一層特殊的金屬物質稱為光陰極板、，而在玻璃管的內部裝有許多個以特殊方式排列的「倍增板」，最後有一個陽極板。 3.1.2 光電二極體檢測器之選取 (2)光二極體 光二極體光檢測器，其結構為p-n接面的二極體，在p-n接面的空乏區上跨一內部電場，以促使可移動的載子(電子與電洞)，移至原本多數載子處，而空乏區於p-n接面處向兩側擴展開來，空乏區內所產生的電場使得多數載子無法越過電場的邊界，阻止多數載子的移動，但卻使少數載子經由電場的加速後，p側電子往n側移動，n側電子往p側移動，因此形成了二極體的逆向漏電流。 3.1.2 光電二極體檢測器之選取 (3)累增式二極體 基本上是pn結構操作於很高的逆偏壓下，則載子穿過空乏區時，獲得足夠能量經碰撞去激發價電帶的電子穿過能隙，躍遷至導電帶，碰撞產生更多電子、使光電流增加約百倍左右。 3.1.3 光電前置放大訊號處理技術 (低頻與高頻) (1)低頻光電前置放大訊號處理技術 利用光電二極體的光強度和電流成正比的特性，我們可以把光訊號轉換成電流訊號。 (2)高頻光電前置放大訊號處理技術 Hamamatsu公司所生產的SiPIN二極體的實際電路設計 3.1.4 雷射光量自動控制 雷射二極體對於本身或外界環境所引起的溫度變化相當敏感，當雷射二極體工作在相同的順向電流時，在不且的溫度會有不同的輸出功率。 3.1.4 雷射光量自動控制 (1)緩啟動器 雷射二極體無法承受瞬間的大電流，為了避免在電源開啟時的瞬間電流變化過大而造成雷射二