GaMnN薄膜由顺磁性变为铁磁性的方法-高温退火.docVIP

  GaMnN 薄膜由顺磁性变为铁磁性的方法- 高温退火# 胡泊，刘枚，满宝元，许士才，姜守振** 5 10 15 20 25 30 35 （山东师范大学物理与电子科学学院，济南 250014） 摘要：通过激光分子束外延技术生长出具有顺磁性的非晶掺杂锰元素的氮化镓薄膜，经过高 温退火后转变成结晶的铁磁性薄膜。经过 X 射线衍射，拉曼，扫描电镜，X 射线光电子谱， 磁性测量验证最优的退火温度为 950，在此条件下，样品结晶质量和磁性都最强。在氨气 保护下样品未被氧化，没有其它杂质相，样品的铁磁性为 GaMnN 薄膜本身的属性。 关键词：GaMnN; 稀磁半导体；退火 中图分类号：O472+5;O484.4+3;O484.1 The method of translation from paramagneism into ferromagnetism of GaMnN film---high temperature annealing Hu Bo, Liu Mei, Man Baoyuan, Xu Shicai, Jiang Shouzhen (College of Physics and Electronics, Shandong Normal University, JiNan 250014) Abstract: Amorphous gallium nitride doped with Mn thin films which present paramagnetism were deposited by the Laser Molecular Beam Epitaxy (LMBE). After annealed at high temperatures, the ferromagnetic nanocystalline GaMnN films were obtained. The optimal annealing temperature is 950℃ by testing of X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Raman spectroscopy and magnetic measurement. This sample have the best quality and strongest ferromagnetism. The annealed samples had not been oxidation in the ammonia protection and no other impurity phase were observed. The ferromagnetism is the intrinsic properity of GaMnN film. Keywords: GaMnN; DMS; annealing 0 引言 稀磁半导体材料(DMS)兼具磁性材料和半导体材料的双重特性，可同时利用电子的电荷 性质及自旋性质，因而这类材料具有一系列不同于常规半导体的磁学、光学和电学特性，如 大的 g 因子，巨磁阻，磁光效应等。这些效应不仅具有重要的基础理论研究价值，而且在新 一代光电器件、传感器件、高速静态存储器件，以及量子计算和量子通信器件等方面具有广 阔的应用前景。在选择最有前景的半导体电子自旋材料时，有两个主要的标准。首先，材料 的铁磁性必须保持到较高的可操作的温度(如大于 300 K)，即 TC 达到或高于室温；第二，如 果已有现成的技术支持这种材料在别的领域中应用，将成为一个重要的优点。T. Dietl[1]等人 在 2000 年通过理论研究得到的不同半导体 TC 的理论计算值，理论工作表明(Ga，Mn)N 的 TC 超过室温，是能实现室温或更高温度下铁磁性的优选材料，且现有的 GaN 半导体技术已 经成熟。但由于实验上各种方法制备的 GaMnN 薄膜呈现出不同的磁学性质，而且即使在同 一种方法下，不同的研究小组也得到了不同的磁性，有顺磁性的[2,3]，超顺磁性的[4]，反铁磁 基金项目：高等学校博士学科点专项科研基金（200804450002）；高等学校博士学科点专项科研基金（新 教师基金课题）（20103704120003）；山东省高等学校科技计划项目（J11LA14）；国家自然科学基金 11047161） 作者简介：胡泊，（1987-），女，研究生，GaN 基稀磁半导体的制备与研究。 通信联系人：满宝元，（1961-），教授，激光与物质相互作用。 E-mail: byman@sdnu.edu.cn -