集成电路基本培训教材（二）.pptVIP

2003.12 2003.12 培训教材 光刻的概念 光刻在硅片上形成图形的简单流程图 光刻主要工艺及相关设备介绍 预涂胶(Priming) 预涂胶(Priming) 涂胶(Resist Coating) 涂胶(Resist Coating) 光刻胶的种类 涂胶设备介绍 曝光 光刻机的分类（１） 光刻机的分类（１） 光刻机的分类（2） 光刻机的分类（2） 光刻机的一些重要参数 显影(Resist Developing) 线宽测试设备SEM的工作原理 光刻工艺的质量要求 光刻工艺的质量分析 腐蚀的概念 腐蚀的种类 湿法化学腐蚀 湿法化学腐蚀 干法化学腐蚀 干法化学腐蚀 干法化学腐蚀的优点 干法化学腐蚀 去胶 真 空 电极制备 电极制备的方法 去 胶 培训教材 118 去胶：就是将经过腐蚀的硅片表面残留的光刻胶去除干净。 去胶的种类： -- 湿法去胶 是用化学试剂（酸或溶剂）是胶膜碳化剥落或浸蚀剥落,然后用大量的去 离子水反复冲洗干净。 -- 等离子去胶 由高频发生器产生高频信号,输入到石英管上的铝平板电容器(电离电极) 和感应线圈上.铝平板电容器产生集中的点场，使氧气在电容器的两极间 充分电离,对已电离的正负离子集电子其维持作用，同时使气体在磁场作 用下形成环形无极电离.由此形成氧离子,活泼的氧原子和电子等混合物 的等离子体的辉光柱.其中活泼性很强的原子态氧[O]约占10～20％,它与 光刻胶膜反应,生成挥发性氧化物(如二氧化碳，一氧化碳和水等).机械泵 抽走挥发性氧化物,达到去除光刻胶的目的. 培训教材 119 合金化 培训教材 120 我们平时所说的“真空”，是指气体压强小于一个标准大气压的气态空间。“绝对真空”在客观世界里是不存在的。 1标准大气压=760mmHg 1乇=1mmHg＝1/760标准大气压 粗真空:压强在760-10乇 低真空:压强在10-10-3乇 高真空:压强在10-3-10-8乇 超高真空：压强在10-8-10-12乇 真空：一般是用真空泵抽气或排气来获得的。 培训教材 121 电极制备:在硅片表面淀积一层金属薄膜来制作欧姆电极接触和集成电路元件之间的互连的工艺称电极制备工艺。 电极制备材料要求： - 容易与硅形成低的欧姆接触电阻 - 有良好的导电性 - 与硅和二氧化硅薄膜粘附性好，不产生有害反应便于进 行光刻 - 便于进行超声或热压键合 - 能用蒸发或溅射的方法淀积成薄膜 培训教材 122 * 光 刻 培训教材 87 概念:是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工 技术,目的在于在薄膜上刻出与掩膜版完全对应的 几何图形。 工艺步骤:一般光刻工艺都要经过:预涂胶、涂胶、嚗光显影及工艺检查等步骤,某些工厂也包括刻蚀 等工艺。 培训教材 88 热氧化 涂胶 热氧化层 暴光 光刻胶层 掩模版 感光了的光刻胶 显影及显影后的检查 刻蚀 去胶 感光了的光刻胶被洗去 硅片 通常所说的PR工艺即包括涂胶，光刻和显影及显影后的检查工艺（在某些工厂也包括刻蚀等工艺） 未被光刻胶遮盖的热氧化层被刻蚀 留下的热氧化层图形 掩模版上的图形 培训教材 89 套刻精度及表面情况检查 涂胶机 光刻机 显影机 线宽测试设备 显微镜 曝光 线宽测试 涂胶 前烘 显影 后烘 预涂胶 预涂胶设备 培训教材 90 预涂胶:增加光刻胶与待刻材料的粘附力(又称增粘处理)用 HMDS物质对硅片表面进行处理，使硅片表面从亲 水性变成疏水性. 预涂胶所使用的设备: Star2000/YES-6/烘箱 HMDS为透明液体状态，其基本工作原理是在真空、和高温的条件下，HMDS的蒸汽与Wafer表面充分反应，以达到增强Wafer表面与光刻胶之间粘附力的目的。 培训教材 91 预处理 金属(metal) 非金属(non-metal) 多晶硅 (poly) 氮化硅 (Si3N4) 二氧化硅 (SiO2) 烘烤(200°C) 　HMDS （六甲基二硅亚胺） 去除硅片表面水汽 置换掉硅片表面羟基(OH ˉ )，形成硅烷醇 炉管氧化所形成 增加硅片与光刻胶的黏附性 接触角60 o ～85o 不作预处理可能导致浮胶，过刻蚀 培训教材 92 涂胶 :均匀地将光刻胶涂敷在硅片的表面。 涂布一层粘附良好，厚度适当，厚薄均匀的光刻胶膜。 涂胶一般采用旋转法，其原理是利用转动时产生的离心力，将滴在硅片上的多余胶液甩去，在光刻胶表面张力和旋转离心力的共同作用下，扩展成厚度均匀的胶膜。 培训教材 93 UV Mask(光刻板） 光刻胶 SiO2 衬底Si