超声雾化气相沉积法制备掺杂ZnO薄膜的研究进展.pdfVIP

材料导报网刊 2007 年8 月第3 期 ·16 · 超声雾化气相沉积法制备掺杂ZnO 薄膜的研究进展 冯小东，杨成韬，张树人，王 锐 （电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054 ） 摘 要 简述了超声雾化气相沉积法(USP)制备ZnO 薄膜的方法，并着重介绍了Al 掺杂n 型ZnO 薄膜，N 掺杂p 型 ZnO 薄膜以及基于ZnO 薄膜-p 型N 掺杂ZnO 薄膜的p-n 同质结的制备方法。对超声雾化气相沉积法制备ZnO 薄膜的最新 研究进展作了总结。 关键词 超声雾化 薄膜 氧化锌 掺杂ZnO 薄膜 p-n 同质结 Research Progress in Doped ZnO Thin Films Prepared by Ultrasonic Spray Chemical Vapor Deposition FENG Xiaodong ，YANG Chengtao ，ZHANG Shuren ，WANG Rui (State Key Lab of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054) Abstract ZnO thin films prepared by ultrasonic spray pyrolysis (USP) are depicted briefly. The preparation methods of Al-doped n-type ZnO (ZnO:Al) films, Nitrogen-doped p-type ZnO (ZnO:N) films and the two-layer structured ZnO p-n homojunctions based on depositing n-type ZnO layer on p-type ZnO:N layer are discussed profoundly. Besides, the latest research progress in ZnO thin films prepared by ultrasonic spray pyrolysis is reviewed. Key words ultrasonic spray pyrolysis, thin film, zinc oxide, doped ZnO thin film, p-n homojunction ZnO 是一种具有六方结构的自激活宽禁带半导体材 料，它资源丰富、价格低廉,对环境无污染, 同时具有优异的 压电、光电、光敏和压敏等性质,从而在发光元件,压电元器 件,声表面波器件,气敏传感器,光电转换器件和太阳能电池 及平面显示器透明电极材料等方面具有广阔的应用前景[1~3] 。 室温下 ZnO 禁带宽度为 3.36eV ，激子激活能达 图1 超声雾化热解工艺的装置示意图 60meV 。这使ZnO 具备了实现室温短波长光电子器件的必 备特征，如高密度数据存储系统，固体照明设备，通信安 Fig.1 Illustration of ultrasonic spray pyrolysis set up 采用浓度为0.5mol/l 的Zn(CH COO)2 ·2H O 的水溶液 全与生物探测器等[4~8] 。然而，由于ZnO 本征施主缺陷的 3 2