微电子技术综合实践设计报告_P阱CMOS芯片制作工艺设计.docVIP

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2017-09-21 发布于安徽
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微电子技术综合实践设计报告_P阱CMOS芯片制作工艺设计.doc

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《微电子技术综合实践》设计报告题目： P阱CMOS芯片制作工艺设计院系：自动化学院电子工程系专业班级：学生学号：学生姓名：指导教师姓名：职称：起止时间： 6月27日—7月8日成绩：目录一、设计要求 3 1、设计任务 3 2、特性指标要求 3 3、结构参数参考值 3 4、设计内容 3 二、MOS管的器件特性设计 3 1、NMOS管参数设计与计算 3 2、PMOS管参数设计与计算 4 三、工艺流程设计 5 1、衬底制备 5 2、初始氧化 6 3、阱区光刻 6 4、P阱注入 6 5、剥离阱区的氧化层 6 6、热生长二氧化硅缓冲层 6 7、LPCVD制备Si3N4介质 6 8、有源区光刻：即第二次光刻 7 9、N沟MOS管场区光刻 7 10、N沟MOS管场区P+注入 7 11、局部氧化 8 12、剥离Si3N4层及SiO2缓冲层 8 13、热氧化生长栅氧化层 8 14、P沟MOS管沟道区光刻 8 15、P沟MOS管沟道区注入