浙江大学半导体测试技术第五章.pptVIP

以上我们讨论了实际情况中的MOS结构的C-V特性曲线，下面我们通过实际的测试实例来说明如何利用C-V特性曲线测量MOS结构的性质，如掺杂浓度、少子寿命、MOS结构氧化层中金属离子浓度、界面态密度等 由此我们得到 5.31 解此微分方程可得到电场强度E的表达式 （V0 取“＋”；V0 取“－”） 5.32 其中 定义为德拜长度，它表示外加电场存在时感生的 空间电荷层的厚度的量级，载流子浓度越大，LD越小，则需要的空间电荷层越薄 由5.32式可以得到绝缘层和半导体界面的电场强度和电荷密度，设界面处的表面电势为VS,则 5.33 5.34 5.34式表示金属层上加正电压时，电场方向为正，则半导体表面感应负电荷，而表面势的变化会引起表面电荷的变化，这就是一个等效电容，我们可以求得微分电容的表达式C 5.35 上式就是我们需要的测量MOS结构C-V关系的原理公式。下面我们根据外加电压的不同来分析表面空间电荷的不同状态。分析仍以p型半导体为例 1) 多数载流子堆积状态 当加在金属层上的电压为负时(V0),则VS0, 因此能带向上弯曲，半导体表面感生正电荷，即更多的空穴，处于多数载流子空穴的堆积状态，此时VS0且n0/p0很小（p型半导体空穴是多数载流子，因此表面电场、电荷密度以及电容可简写为 5.36 5.37 5.38 2)平坦能带状态 当加在金属层上的电压为负时(V＝0),则VS＝0，能带平直，称为平坦能带状态，此时表面电场、电荷密度都为零，此时电容可采用将5.35式中EXP项用级数展开的方法简化，令VS→0可得 5.39 3)空穴耗尽状态 当加在金属层上的电压刚转为正时(V0), VS0，但值不是很大， 满足VSEF/q,此时能带向下弯曲，半导体表面感生负电荷，即空穴耗 尽，电离受主过剩，所以称为空穴耗尽状态。此时EXP指数项很小可 以忽略，则表面电场、电荷密度以及电容可简写为 5.40 5.41 5.42 4) 表面本征状态 当加在金属层上的电压继续增大时，达到VS=EF/q ，此时能带更加向下弯曲，此时表面禁带的中间位置与费米能级重合，此时的表面电场、电荷密度以及电容可用空穴耗尽状态表示，不过式中的VS可以表示为 5) 强反型状态 当加在金属层上的电压进一步增大时， VSEF/q ，半导体表 面电子浓度大于空穴浓度，形成反型层，当 时， 形成所谓强反型态，此时EXP指数项可以忽略，得到 5.43 5.44 5.45 其中ns为半导体表面处的电子浓度，由于在强反型态下表面电子浓度很大，对电子的屏蔽作用很强，此时耗尽层宽度达到一个最大值后不再增加。 6)深耗尽状态 当加在金属层上的电压再增大时，如果是稳定的电压，则会形成强反型层，但如果此时电压是以较短周期型的波形加在金属层上时（高频信号），少数载流子来不及产生，此时将会形成耗尽层并且耗尽宽度随电压增大而增加，这就叫深耗尽状态。 上面分析了MOS结构中的6种外加电压和表面电荷的关系，在此基础上，我们可以通过测量C-V关系曲线来得到MOS结构的介面性质。考虑理想的MIS结构，外加电压一部分降在绝缘体内部，一部分降在半导体表面,这相当于绝缘层电容和半导体表面电荷层电容的串联 5.46 5.47 定义归一化电容Cn为下式，讨论不同情况的测试下MIS结构的C-V特性。一般测试C-V曲线时所使用的外加电压由直流偏压和交流信号叠加而成。图11显示了3种不同扫描电压形式下的归一化电容Cn与外加电压的关系： 1）直流偏压慢慢增加，交流信号为低频率（10～100HZ）,这称为低频特性; 2) 直流偏压慢慢增加，交流信号为高频（104～106HZ），这称为高频特性； 3）直流偏压增加很快，这是对应着深耗尽的不平衡状态。 当外加直流偏压Vex为负时，半导体界面形成多数载流子堆积状态，此时 5.48 当Vex绝对值很大时，上式≈1。随着VS绝对值减小，，上式逐渐减小。 当Vex下降到0时，对应平坦能带状态. 5.49 可见，归一化电容与半导体德拜长度有关，也就是和半导体的掺杂程度有关。因为上面我们知道掺杂越高，载流子浓度越大，LD越小，而对应的归一化电容越大。 当Vex由0转为正值时，VS0，但值不是很大，满足空穴耗尽状态，此时 5.50 可见VS越大，归一化电容越小。 当加在金属层上的电压继续增大时，达到VS=EF/q, 此时达到表面本征状态，仍可用上式描述归一化电容和电压的关系。 当加在金属层上的电压进一步缓慢增加时VSEF/q,