氯原子反应机理的理论研究(第2,3个氯原子).docVIP

河南科技学院新科学院 2012届本科毕业论文 论文题目： ZrCl4分子层在羟化硅表面消去氯原子反应机理的理论研究（第2，3个氯原子） 学生姓名： 李 杰 所在院（系）： 化学工程系 所学专业： 化学工程与工艺 导师姓名： 姚树文 完成时间： 2012年5月 ZrCl4分子层在羟化硅表面消去氯原子反应机理的理论研究 （第2,3个氯原子） 摘要 使用密度函数理论研究了ZrCl4分子在羟化硅表面ALD的薄层中释放Cl原子的反应机理，对于脱去四个氯原子中第2，3个氯原子，设计了四条反应途径。结果表明，在0K时一个标准大气压下：R3a是一个放热反应，R3b是一个吸热反应，R3a的能垒比R3b低，因此我们得出一个结论R3a比R3b反应有利。R5a,R5b分别是接着R3a,R3b的水解反应产物，可以发现R5b相对于R5a有较低的活化能和反应热，因此我们认为R5b比R5a反应有利。 关键词：密度函数理论，ZrCl4，薄膜，原子层沉积 A density functional theory study on the reactions of chlorine loss in ZrCl4thin films by atomic-layer deposition (the second and third chorine loss) Abstract Using density functional theory,the chlorine loss reactions of ZrCl4 thin films of ALD on the hydroxylated silicon surface deposition reaction are researched.For the second and third chlorines loss,four possible pathways have been designed.The results show that a standard atmospheric pressure at 0 K: R3a is an exothermic reaction, and the R3b is an endothermic reaction, the reaction energies of R3a is lower than R3b,Compared to R1a and R2a,R1b and R2b are more favorable.R5a,R5b then R3a,R3b hydrolysis reaction products can be found R5b relative R5a have lower activation energy and the heat of reaction,therefore we think R5b are more favorable than R5a. Keywords: Density functional theory,ZrCl4, Thin film, Atomic layer deposition  目录 1.绪论 1 2.理论基础与应用软件 2 2.1 Gaussian软件 2 2.1.1 Gaussian基本功能 2 2.1.2 Gaussian 03计算原理 3 2.2密度泛函理论 3 3、实验部分 4 3.1第二个氯原子消去反应中通过以水为前体的消除反应 6 3.2第三个氯原子消去反应中通过以水为前体的消除反应 10 结论 13 参考文献 14 致谢 15 1.绪论 在的候选物中，ZrO2具有高的介电常数，广泛的能带间隙，高的热稳定性，是替代二氧化硅的一种很有前景的应用材料[1]。在现有的众多的高介电常数组合材料的各种制备方法中，原子层沉积(ALD)在精确的厚度控制和在大的区域内均匀形成方面显示了其独特的优势。在原子层沉积中，各种前体被交替带到位于反应釜中的硅表面上，进来的前体和表面的物质反应是自我终止的。因此，原子薄膜形成的控制可以[2]。 因为我们知道，知识以及反应机制的动力学热力学数据可以帮助优化ALD工艺条件。因此，它是重要的探索高K氧化物ALD的成长的反应机制。 正如我们知道的增长机制包括反应动力学和热化学会有利于优化工艺条件，因此原子沉积理论是研究high-k氧化物薄膜的原子层沉积反应的重要方法。近年来，人们大量的从实验和理论上研究high-k氧化物薄膜（例如：[1，2，3，4，5]，二氧化锆[6，7，8]和三氧化铝[9,10]）在硅表面上的原子沉积层反应。 二氧化锆薄膜的原子层沉积反应被广泛用作四氯化锆[6，7，11