苯胺在邻氨基苯磺酸功能化的玻碳电极上聚合及其对抗坏血酸的电催化氧化.docVIP

苯胺在邻氨基苯磺酸功能化的玻碳电极上聚合及其对抗坏血酸的电催化氧化 【摘要】 通过电氧化法将ABS分子以CN键共价键合在玻碳电极(GCE)表面，形成ABS分子单层膜修饰的GCE(ABS/GCE)，在此电极上对AN进行电聚合，从而制备了聚苯胺/邻氨基苯磺酸复合膜修饰电极(PANABS/GCE/CME)。由于ABS中磺酸基功能团对PAN的掺杂作用使PAN在中性或碱性介质中都能呈现出较好的电化学活性。研究表明，PANABS/GCE/CME在PBS(pH 6.8)中对AA的电氧化具有催化作用，其氧化峰电位为0.17 V，比在裸GCE上(0.39 V)负移了0.22 V，峰电流明显升高。AA在修饰电极上的氧化峰电流与其浓度在0.5～16.5 mmol/L范围内呈良好的线性关系，其线性回归方程为ipa(μA)=20.2+6.20CAA，r=0.9973; 检出限(3δ)为7.2 μmol/L，电极具有较好的稳定性和重现性。并采用计时电流法对AA催化氧化的扩散系数和催化速率常数进行了研究。 【关键词】 复合膜， 抗坏血酸， 苯胺， 邻氨基苯磺酸， 化学修饰电极 　　1 引 言 　　抗坏血酸(AA)是维持人体健康必需的成分之一。因为AA在常规电极上的氧化过电位较高，而且其氧化产物极易吸附在电极表面而污染电极，使电极的灵敏度低、重现性差，所以用常规电极对其进行测定很困难。