半导体低维结构的压力光谱研究.pdfVIP

第 24卷第 3期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vol. 24 , No. 3 2005年 6月 J. Infrared M illim. W ave s June, 2005 文章编号 : 100 1 - 9014 (2005) 03 - 0174 - 05 半导体低维结构的压力光谱研究 李国华 , 　陈　晔 , 　方再利 , 　马宝珊 , 　苏付海 , 　丁 　琨 (中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室 ,北京 　100083) 摘要 :研究了一些半导体低维结构的压力光谱. 测得平均直径为 26、52和 62nm 的 In A l A s/A l Ga A s量子点 0. 55 0. 45 0. 5 0. 5 Γ 发光峰的压力系数分别为 82、94和 98 m eV / GPa. 表明这些发光峰具有 谷的特性 ,这些量子点为 Ⅰ型量子点. 而平 均直径为 7nm 的量子点发光峰的压力系数为 - 17 m eV / GPa,具有 X 谷的特性. 所以这种小量子点为 Ⅱ型量子点. 测得 ZnS :M n纳米粒子中 M n发光峰的压力系数为 - 34. 6m eV / GPa,与晶体场理论的预计一致. 而 DA 对发光峰基 本不随压力变化 ,表明它应该与 ZnS基体中的表面缺陷有关. 测得 ZnS: Cu 纳米粒子中 Cu 的发光峰的压力系数为 63. 2m eV / GPa,与 ZnS体材料的带隙压力系数相同. 表明 Cu 引入的受主能级具有浅受主的某些特点. 测得 ZnS: Eu 纳米粒子中 Eu发光峰的压力系数为 24. 1m eV / GPa,与晶体场理论的预计不同. 可能和 Eu 的激发态与 ZnS导带间 的相互作用有关. 关 　键 　词 :压力 ;光致发光 ;量子点;纳米粒子 中图分类号 : 0473　　文献标识码 : A PHO TOL UM INESCENCE O F LOW D IM ENSIONAL SEM ICOND UCTO R STRUCTURES UND ER PRESSURE L I GuoHua, 　CHEN Ye, 　FAN G ZaiL i, 　MA B aoShan , 　SU FuH ai, 　D IN G Kun (N ational L aboratory for Sup erlattice s and M icro structures, In stitute of Sem iconductors, Ch ine se A cademy of Science s, B eij ing　100083, Ch ina) A b stract: Photolum inescence of som e low dim en sional sem iconductor structure s has been inve stigated under p ressu re. The m easured p ressu re c