非晶SiON薄膜的红外吸收光谱研究.pdfVIP

第2 1 卷 , 第2 期 　　 　　　　　光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vol21 ,No 2 ,pp187189 2 0 0 1 年 4 月 　　　　　　 　 April , 2001 　 Spectroscop y and Spectral Analysis 非晶 SiO N 薄膜的红外吸收光谱研究 x y 石旺舟 　　欧阳艳东 　　俞 　波 汕头大学物理系 , 515063 　汕头 摘 　要 　通过改变 O 和 N 含量研究了 SiO N 薄膜中从 600 到 1 600 cm- 1 范围内的红外吸收谱特征。结果 x y 表明 , 起源于单一 Si —O 、Si —N 键的吸收峰在 1 105 和 865 cm - 1 处 ; 而随着薄膜中 O 或 N 含量的升高 , 位于单一键吸收峰的两侧出现因 O —Si —O 、N —Si —N 的对称和反对称键吸收的左右肩; 对 O —Si —N , 其 特征吸收峰位于 1 036 和 856 cm- 1 处。 主题词 　SiO N 薄膜 , 　晶格振动 , 　红外吸收 x y 引 　　言 2 　实验结果 　　近年来 , SiO N 薄膜的优异光电特性引起广泛关注 , 　　X射线衍射分析表明 , 薄膜为非晶结构。能谱分析的结 x y 其中 O —Si —N 三者之间的结合组态是影响其性能的重要因 果表明 , 随着沉积过程中掺杂气体比例的升高 , 薄膜中的 N 素。红外吸收光谱是研究硅中氮、氧杂质浓度及其结合形式 和 O 浓度增加。典型的氮掺杂、氧掺杂和氮氧同时掺杂样 的有效方法之一[1 ,2 ] , 但建立相应组态振动模式与红外吸收 品的能谱分析结果如图 1 所示。同时发现当微量掺杂时 , 能 峰间的对应关系是有效利用这种分析方法的先决条件。目 谱方法因其灵敏度的限制 , O 和 N 的信号被噪声信号淹没 , 前 , 基于 SiO 和 Si N 的特征晶格振动吸收峰以及硅中微 根据灵敏度估计其含量低于 1 % 。 2 3 4 量 N 、O 掺杂后的 Si —O 、Si —N 键的特征吸收已被广泛研 究[3 ,4 ] , 而对相对高含量 N 、O 同时掺杂的硅基材料 , 即 SiO N 的特征吸收则未见报道 , 从而造成识谱困难。基于 x y 600～1 600 cm- 1 范围内红外吸收信息丰富 , 我们研究了该 范围内 N 和 O 浓度与其特征吸收峰间的依赖关系。结果发 现 Si —O 、Si —N 键的吸收峰随着薄膜的成分变化而改变 , 本文报道其研究结果。 1 　薄膜制备与实验方法 薄膜制备采用 PECVD 方法 , 系统本底真空度为 0 5 mPa , 主要反应气体为 SiH , 通过 O 、N 进行掺杂 , 并控 4