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叶春暖 等：Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究 2813 Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究 ∗ 叶春暖，莫晓亮，徐华华，韩成赫，曹冠英，孙大林，陈国荣 （复旦大学材料系，上海 200433 ） 摘 要：采用气－液－固反应方法在硅片上制备了取 2 实 验 向金属有机配合物 Ag(TCNQ)纳米线。样品的 XRD 特征峰与Ag(TCNQ)相对应；SEM 形貌显示纳米线几 Ag(TCNQ)纳米线的制备在经改装的真空镀膜机 乎垂直基片生长，直径在50~300nm，长度在2~50µm 。 上进行，使基片上的银膜在一定条件下与TCNQ 的饱 初步对其场发射性能进行了研究，所得Ag(TCNQ)纳 和蒸气发生反应，最终得到化学计量比为 1：1 的 米线的最低场发射开启电压约为1.5Vµm-1 ，最大发射 Ag(TCNQ)配合物纳米线，具体过程见参考文献[3]。 电流密度约为0.03mAcm-2 ，此时对应的电场约为2.5 改变银膜厚度和反应时间，加热反应温度为 100℃， -1 Vµm 。由测量所得I- V 曲线得到的Fowler-Nordheim 制备了一系列 Ag(TCNQ) 纳米线样品。用 Rigaku （F-N ）曲线近似为一条直线，说明样品具有场发射 D/Max-3C 型衍射仪进行样品结构的 XRD 分析，用 性能。重复实验表明，Ag(TCNQ)纳米线的场发射具 XL30FEG 型 （PHILIPS ）场发射SEM 表征样品形貌。 有一定的稳定性。结合纳米线制备工艺，初步分析了 进一步测量了样品在真空条件下的场发射性能。 场发射性能的影响因素。 关键词：气－液－固反应；Ag(TCNQ)纳米线；场发射 3 结果与讨论 中图分类号：TN1 ；O78 ；O488 文献标识码：A 样品的 XRD 谱（图 1 ）显示特征衍射峰与 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 Ag(TCNQ) 的特征衍射峰对应，说明了纳米线确实是 1 引 言 Ag(TCNQ)而非Ag 或TCNQ 。 随着数字化和信息化社会的发展，人们对显示器 提出了超薄、超轻、色彩丰富和图象高清晰等要求。 场发射显示器(FED)可能会代替目前市场上常用的阴 极射线管(CRT)与液晶显示器(LCD)而成为新一代的 主流产品。碳纳米管的制备和场发射性能已被广泛而 深入地研究，并在相应的器件开发方面取得了实质性 的进展[1,2] 。但是，碳纳米管的制备需要较高的温度， 在提纯方面还存在一定困难，所以有必要寻找其他高 效的电子发射表面。 本文通过气－液－固反应方法，在较低的温度下 制备出了金属有机配合物 Ag(TCNQ) 的一维阵列结 图1 真空饱和蒸气输运反应法制备的Ag(TCNQ)纳 构，利用XRD 和SEM 对样品的成分和形貌进行了表 米线的多晶XRD 谱 征。对由不同银膜厚度和不同反应时间制备的样品分 Fig 1 Polycrystalline XRD pattern of Ag(TCNQ) 别进行了场发射测量，初步讨论了Ag(TCNQ)纳米线 nanowiresprepared by a vacuum saturated 场发射性能的影响因素。