光吸收系数的电流感生变化.pdfVIP

维普资讯 第 l2卷 第 10期 半 导 体 学 报 Vo1．12 No．1D 1991年 l0月 CHIN ESE JOURNAL OF SEM 1CONDUCTORS 0ct．。 l99l MOVPE生长 GaAs薄层的线偏振 光吸收系数的电流感生变化 王德煌 王威礼 李桂棠 (国家集成光 电干联合实验室，半导体衙区，北京大学物理系，北京，1~0871) 段 树 坤 (中国科学院半导体研究所，北京，~00003) |990年 9月 B日收到，同年 12月 26日修敬定稿 MOVpE生长不掺杂 GaAs薄层的线偏振光吸收系数电流癖生变化 A 的实验结果表明， ^ 随光波长 ^呈脉冲线型非线性变化；注人电流增加，A 明显增大，且 ()谱极大值位 置向长波端有一个小移动以至 厶 ()谱线半值全宽也有增宽． 一90Ohm 处，A 值基本 上随 电流线性增加 ． GaAs是近年来半导体光电子器件和集成光学元件 的重要材料之一 ，其光吸收特性 已被研究，但 C．aAs薄层的线偏报光(激光波一般是线偏振光)吸收特性没有给予重视 ． 半导体光电子器件和集成光学元件一般是具有多薄层结构的电流注人型器件 ． 因此， GaAs薄层的光学性质对上述器件设计和性能改进很有必要． 本文报道在半绝缘 C．aAs, 衬底上 ，MOVPE 生长的不掺杂 GaAs薄层的线偏振光吸收系数 电流感生变化的实验 结 果． 半导体的光吸收系数 一般测量不同波长处样 品透过率 而确定．波长 1的线偏撮 光垂直人射于光滑的两平行端面 的样 品表面 ，该样 品的 值为[J9： 一 {【 1-}-、／l-I-4RT。／O— R)．]，【2Rr／(t—Ry】}， (1) L 式中L是样品厚度．反射系数R是： R一 (一 ，l0)／( -I- 0)， (2) 这里 是空气折射率． 是样品折射率，它与波长 l和温度有关 ．对 GaAs，一 900nm， 室温下 n一 3．6O ．电流注人样 品后 ，其 值变化 △ 为： △ — a(j)一a(0)， (3) 式中 0)和 (，)分别是电流J注人前后样品的 值．样品透过率 用常规实验方法 铡定后 ，Aa值可确定．实验样品是在半绝缘 GaAs(1OO)面上 ，．用 MOVPE 生长单层 不掺杂 C．aAs薄层． ． 图 l和 2给出两个样品的实验结 果． 图 1的 样 品是在 掺 I 的 GaAs衬底 上， MDVPE 生长 2．24,~m不掺杂 GaAs层． 其室温迁移率和载流子浓度分别是 511lcml 维普资讯 半 导 体 学 报 T E 圈 1 电流注人后，掺 IⅡ的半绝缘 GaAs衬底上， 图 2 电随往人后，掺 cr的半绝缘 GaAs村 MOVPE 生长 2．2qm 不 杂 GaAs屡的 △口()谱 底上 ，MOVPE 生长 6．82p．m 不掺杂 GAAs 层的 Aa()谱 V-s和 9．0×10”cm～．图 1的 △ —l曲线 (略称 △ (1)谱)表明，电流盛生的 △d 与 i间是一种非线性变化关系．△ (i)谱是一种类脉冲线型谱线，存在极大值 (△ )… 和 半值全宽