氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用.pdfVIP

第37卷 　第7期 华 　中　科 　技 　大 　学 　学 　报 ( 自然科学版) Vol . 37 No . 7 2009年 　7月 　 J . Huazhong U niv . of Sci . Tech . (Nat ural Science Edition) 　J ul . 　2009 氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用 1 ,2 3 3 ,4 1 陈　曜 　冯俊波 　周治平 　于 　军 ( 1 华中科技大学 电子科学与技术系 , 湖北 武汉 430074 ; 2 广西大学 物理科学 与工程技术学院 , 广西 南宁 530004 ;3 北京大学 信息科学技术学院 , 北京 10087 1 ; 4 乔治亚理工学院 电子与计算机工程系 , 亚特兰大 30332) ( ) ( ) 摘要 : 以三甲基铝 TMA 和氨气 N H3 为源 ,在原子层淀积设备上实现了氮化铝薄膜的制备. 通过扫描电子 显微镜 、X 射线能谱仪和原子力显微镜对氮化铝薄膜的生长速率 、成分和粗糙度进行了分析 ,优化了薄膜淀积 工艺. 以每周期单分子层的生长模式进行氮化铝薄膜淀积 ,淀积速率为每周期 0 . 205 nm ,厚度为 6 1 nm 的薄 膜粗糙度为 0 . 69 nm . 利用原子层淀积氮化铝薄膜的保型性 ,通过 nm 级薄膜厚度的控制 ,制备了复杂的环形 光子晶体器件 ,其工艺精度高达 50 nm . 关 　键 　词 : 氮化铝 ; 原子层淀积 ; 保型性 ; 粗糙度 ; 环形光子晶体器件 中图分类号 : TB43 　　文献标识码 : A 　　文章编号 : 167 145 12 (2009) Preparing al uminum nitride thin f il m by atomic layer deposition Chen Yao1 , 2 　Feng J unbo3 　Z hou Z hip i ng 3 , 4 　Yu J u n1 ( 1 Dep art ment of Elect ronics Science and Technology , Huazhong U niver sit y of Science and Technolo gy , Wuhan 430074 , China ; 2 College of Phy sical Science and Technology , Guangxi U niver sit y , Nanning 530004 , China ; 3 School of Elect ronics Engineering and Comp ut er Science , Peking U niver sit y , Beij ing 10087 1 , China ; 4 School of Elect rical and Comp ut er Engineering , Geor gia In stit ut e of Technology , Atlant a Geor gia 30332 , U SA) Abstract : U sing a sequential inj ectio n of t rimet hylaluminum ( TMA) an d ammonia (N H3 ) , aluminum nit ride (AlN ) t hin film s were p rep ared on silicon waf er s by ato mic layer dep o siti