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高斯定理在带电导体表面上的应用 吴磊 土木2班 060105260 摘 要 本文在静电平衡条件的基础上，应用高斯定理讨论带电导体表面的电场强度。 关键词 静电平衡；电场强度；高斯定理；迭加原理 Abstract：In this paper，Guass theorem is mainly used to discuSS the electric field intensity on the surface of charged conductor on condition of electrostatic equilibrium ． Key work：eleetr。static equilibrium；eleetric field intensity；Gauss theorem；prineip1e of surerpo l 带电导体表面上及其内、外的电场强度 根据静电平衡条件，应用高斯定理和场强迭加原理，可以证明：处于静电平衡状态的 导体，其表面外附近、表面上和导体内部的电场强度分别为： 一 式中 为导体表面电荷密度，n为该点导体表面的外法线方向，为真空电容率(或真空介电常数)。下面我们来证明(1)式：设导体处于静电平衡状态。在导体表面任取一个面元△5，它的面积充分地小，使其上的面电荷密度 可以认为是均匀的，因而△5所带电荷为Ql=d△S。围绕△s的周界作一柱面，其母线与△5的 (导体表面附近) (导体表面上) (1) (导体内部垂直，又在的两边分别作面元△5的平行截面元△5l和△52，且△5l在导体的表面之外，而△52在导体的内部。截得柱面△53。这样，△5l、△52和△53就构成一个包含电荷QI的高斯面5。如图一1所示。导体表面上其它部分的所有电荷Q：在高斯面S之外。—设电荷口。在面元AS附近产生的电场强度为置，而电荷Q2在AS附近产生的电场强度为 。应用高斯定理，有： 根据静电平衡条件，导体表面附近的场强E=E + 的方向与面元△S垂直。且容易看出，置，置一均应与△S垂直，因为△S的形状是任意的，如果 、 不同时垂直于导体表面， 、 迭加就不可能得到导体内部场强为0和表面附近场强处处垂直于导体表 面这一性质。 当△Sl和△S2同时趋近于△S时，△Sl=△S2=△S，△S3=0，因此，有由式(3)，得 即 E = (5) (5)式说明，Ql在导体表面△S外附近和导体内部产生的电场强度的大小相等而方向相 反。式(2)又可以改写为 由静电平衡条件可卸，导体内部电强度处处为零，所以当E +E ：0才恒成立，所以Ql与Q2在△S2(导体内部)产生的场强大小相等而方向相反，使得导体内部电场强度处处为零。 当△Sl与△S2同时趋近于表面△S时，△S3： 最后，考虑高斯面S在导体外的面△Sl，由式(6)得 中 ，所以营 +云_= ￡O ，式(5)已得营，= Z￡，所以营Ⅳ： 2 。即是说与Q2在A S。处产生 Q。一 的场强大小相等而方向相同。综上所述，处于静电平衡的导体，其表面附近、表面上的和导体内部的电场强度由(1)式表示。2 孤立带电导体表面的电场强度的计算半径为R，带电量为Q的孤立均匀带电导体球表面上的面电荷密度为 入(1)式，即可求得导体球表面上的电场强度营， 、 ’ r为球表面的外法线方向单位矢量。以上结果也可以由库仑定律和矢量迭加原理求出，以导体球的球心为坐标原点建立如图一所示的坐标系，其中P点是所求场强的点。由于问题具有对称性。过，J7、r的微元圆环在P点产生的场强的向量和在Y，：方向的分量为零，只有 方向的分量，其大小为P点的场强大小为： 由上面的推导可知，导体球表面的任意一点的场强大小都为E： ‘ 外法线方向。即均匀带电导体球表面上任意一点的场强为罾= Q此式与(6)式完全相同。这一结果也验证了(1)的正确性 参考文献 (1] 姚启钧著．光学教程．高等教育出版社出版，1989 [2] 廖延彪．光纤光学．北京：清华大学出版社，2000