射频辉光放电CH4等离子体电子的能量分布.pdfVIP

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28 2 计 算 物 理 Vol . 28 ,No . 2 第 卷第 期 20 11 3 CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS Mar . ,20 11 年 月 文章编号:100 1-246X (20 11)02 -0250 -09 射频辉光放电 CH4 等离子体中电子的能量分布 * * , , , 吕少波 蔺 增 王 庆 巴德纯 ( , 110004 ) 东北大学机械工程与自动化学院 辽宁沈阳 : Lorentz , CH . 摘 要 通过求解 简化的玻尔兹曼方程 得到射频放电 4 等离子体中电子的能量分布函数 求解过程 . 6 27 . 中使用一个简化的射频电场模型代替泊松方程求解放电电场 共计包含 类环境气体及 种电子碰撞反应 通 EEDF 、 、 . , 过 对等离子体中的电子反应率系数 电子平均能量 电子的传输率系数等进行求解分析 结果表明 在 Maxwell , Druyvesteyn . 等离子体鞘层区域电子能量具有 分布形式 在正柱区域具有 分布形式 最高电子能量和最 . . 大反应率系数出现在鞘层区域 电子的迁移率系数和扩散率系数随射频周期的演化时空分布不均匀 : ; ; ; 关键词 玻尔兹曼方程 射频电场 甲烷等离子体 电子能量分布 中图分类号:O46 1. 2 文献标识码:A 0 引言 等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ,PECVD)技术是目前低温制备 . (Diamond Like Carbon ,DLC) 薄膜材料的一种常用的方法 如类金刚石薄膜 的制备即是利用射频容性放电将 ( CH ) , [1 - 3 ]. CH 源气体 如 4 电离形成等离子体 高能碳源粒子在基片上沉积成膜 理论研究 4 等离子体物理特 性对深入了解 DLC 薄膜沉积机理和改良薄膜制备工艺具有重要的指导意义. CH CH

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