PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究.pdfVIP

390 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究* ∗ 雷平水，史伟民，郭燕明，邱永华，潘美军 （上海大学 材料科学与工程学院，上海 20 1800） 摘 要：用热壁物理气相沉积法（Hot －Wall PVD ） 2 实 验 制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜，研究了生长参 数对沉积膜质量的影响，对多晶HgI2 膜用金相显微 2.1 多晶HgI 膜的生长 2 镜、XRD 、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2 HgI2 原料是采用高纯碘与汞合成的高纯多晶 膜制备的探测器采用了暗电流测试；结果表明PVD法 [1] HgI2粉末 ，再经过3~4 次的反复升华得到纯度更高 制备的多晶HgI2膜纯度高，结构完整性好，均匀性好， 的HgI [2] 2 多晶原料 ，然后装入经去离子水反复冲洗烘 并且其相应器件有低的暗电流（电场0.2V/ μm 时，为 干后的玻璃生长安瓿；生长衬底为表面涂覆有一层 25pA/mm2 ）。 ITO作为前端电极的导电玻璃，实验前先浸泡于丙酮 关键词：多晶；碘化汞；物理气相沉积；探测器 溶液约 30min，再置于无水乙醇中用超声波清洗器清 中图分类号：O782.7 文献标识码：A 洗洁净，晾干后放入生长安瓿中；抽真空至 10-5Torr 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-0390-04 后封管，放入经改进的热壁物理气相沉积 （Hot －Wall 1 引 言 PVD ）法晶体生长装置中 （见图1），实验分三温段设 定生长参数，原料区温度应大于衬底区温度。本实验 在数字X射线辐射成像系统中，探测器的性能占 典型的生长参数为原料区温（Tsource ＝80℃），壁炉 有重要的地位，并直接决定了成像的质量。但随着数 区温（Twall ＝70℃），衬底区温（Tsubstrate ＝60℃）， 字X射线辐射成像的不断发展，传统的辐射成像系统 各区温采用分段逐步升温法，温度梯度约 1℃/cm, 通 中的探测器装置 （感光胶片、荧光屏等）已不能满足 过控制生长时间可以生长出厚度不同、质量较好的多 日趋发展的实时、在线的数字辐射成像需要，于是人 晶HgI2膜。 们致力于研究能有效用于数字辐射成像探测器的不 同材料。而多晶HgI2膜作为一种半绝缘体，具有禁带 宽度大(Eg ＝2.13eV)、原子序数高(Hg为80，I为 53) 、 体暗电流小、吸收截面大、探测效率高、生长成本低、 易于大面积制备等优点，被认为是X射线数字辐射成 像直接转换器的理想半导体材料。用多晶HgI2构成在 室温下应用的X 、γ射线探测器，在医学诊断、安全 检测、无损测试、空间物理以及正在建设的第三代同 步辐射应用工程等领域有着广阔的应用前景。 多晶HgI2膜的常用制备方法有多种，如热压法、 丝网印刷法、气相淀积法等，本文对采用热壁物理气