ZnOTb透明导电薄膜的制备及其特性研究.pdfVIP

第 28 卷 　第 3 期 稀 　有 　金 　属 2004 年 6 月 Vol. 28 №. 3 　　　　　 　　　　　　CHINESE JOURNAL OF RARE METALS　　　　　　　　　　 June 2004 ZnO ∶Tb 透明导电薄膜的制备及其特性研究① 方泽波 , 朋兴平 , 谭永胜 , 何志巍 , 王印月 (兰州大学物理系 , 甘肃 兰州 730000) ( ) ( ) 摘要 : 用 RF 磁控反应共溅射法在 Si 111 衬底上制备出了铽 Tb 掺杂的 ZnO 透明导电薄膜。研究了溅射中 Tb 掺杂量对 ZnO 薄膜的结构、电 - 4 Ω ( 学和光学特性的影响。结果表明 , 在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好 c 轴取向 , 电阻率降低到9. 34 ×10 ·cm , 且可见光段 400 ～ ) 800 nm 平均透过率大于 80 %的ZnO ∶Tb 新型透明导电材料。 关键词 : ZnO ; RF 溅射 ; 透明导电薄膜 ( ) 中图分类号: O782 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :0258 - 7076 2004 03 - 0502 - 03 　　透明导电薄膜由于兼有良好的导电性和高透 了便于光学透过率的测量 , 在每次溅射时都用清 明度可广泛应用于透明电极、液晶显示器 , 太阳能 洗好的 Si 片和普通载波片 , 同时作为衬底。溅射 电池和各种光电设备[1 , 2 ] 中。现在工业上应用最广 后沉积在载波片上的 ZnO 薄膜仅仅用来测试光学 泛的透明导电薄膜是 ITO ( In O ∶Sn) 薄膜 , 但具有 透过率。 2 3 ( λ 价格昂贵 , 高温下透过率迅速降低 , 且在氢等离子 用 D/ max2400 衍射分析仪 Cu , Ka , = ) 体中不稳定等缺点。而 ZnO 价格低廉 , 不仅能制成 015405 nm 测量了样品的 X 射线衍射谱。样品的 良好的半导体和压电薄膜, 亦能通过掺杂制成良 电阻率由范德堡法测得。样品的透过率用Lambda 好的透明导电薄膜。因此越来越多地受到广大研 900 分光光度计测量。 究者的重视。 2 　结果与讨论 目前, 已有在 ZnO 薄膜中掺入不同三价杂质 例如 Al , Ga , In , B 等[3～5 ] 制备 ZnO 透明导电薄膜 图 1 给出了采用不同 Tb/ Zn 面积比靶材沉积 的报道。本文通过在纯 Zn 靶上放入适量的纯 Tb 的膜的