γ射线与N离子辐照类金刚石薄膜的机理研究.pdfVIP

第 18卷 第 2期 原 子 核 物 理 评 论 Vo118，No．2 2001年 6月 NuclearPhysicsReview June，2001 文章编号 ：1oo7—4627(2001)02-0120-05 y射线与N离子辐照类金刚石薄膜的机理研究 刘贵昂 ，谢二庆 ，王天民 (1西南交通大学应用物理系，四川 成都 610031； 2兰州大学物理科学与技术学院t甘肃 兰州 730000 3北京航空航天大学理学院，北京 100083) 摘 要：对类盎刚石 (眦下简称 DLC)薄膜受 射线与N离子辐照的结果进行 了比较．通过 Raman 光谱分析得出： 射线辐照造成薄膜 中SPc—H和SPc—H键的减少及SPc—c键的增加，与此 同时氢原子结合成氢分子 ，并从膜 中释 出，薄膜 的类金刚石特征更加明显．当辐照荆量达 10×10 Gy时，SPc—H键减少了约50 ．N离子辐照使DIc薄膜 中SPc—c键、sPc～H键及SP。c— H键 的含量均变少，并伴随着氢分子的释 出，直接导致DLC薄膜 的进一步石墨化，其对 SPc—H 及SPc—H键的破坏程度远大于 射线．两者在辐照机理上截然不同， 关 键 词 ：类盎剐石薄膜 ； 射线辐照；N离子辐席 ；机理 中图分类号 ：O484 文献标识码 ：A 引言 为 1．25MeV，各样品受 射线辐照的剂量如表 1． 辐照后 的DLC薄膜用 NicoletRaman910型付里叶 DLC薄膜 具有独特 的物理、化学 和力学特 变换 Raman光谱仪进行表征 ，该仪器的中心渡长 性口]，在抗反射涂层 、光学保护层、电容p—n结、阻 为1064nm，最高分辨率小于 2cm ，谱图见图1． 挡层、电子器件的热沉 ，甚至空问和核聚变环境下 器件的涂层等方面具有潜在的应用价值 ]．在 以上 衰 1 各样品的y射线辐照剂量 应用 中，DLC薄膜可能不可避免地处在射线辐射、 离子辐射，甚至高温等极端环境，因此对DLC薄膜 在各种不同后处理条件下的稳定性研究就显得十分 必要．本文介绍 了DIc薄膜受 射线辐照及 N离 子辐照的一些初步结果 ，并将两者进行了比较． 2 实验 从 图1可 以看到 ，位于 2934及 2871cm 附 近的峰的强度随辐照剂量 的增加越来越小，且分别 本工作采用 的DLC薄膜样 品是用外耦合电容 对应于 SP。CH 反对称伸缩振动 及 SP。CH3对称 式射频辉光放电等离子体化学气相沉积方法获得． 伸缩振动 ]，表示这两种振动越来越弱．根据测不 反应气体是纯 甲烷 (CH)，反应室是石英钟罩 ，射 准原理，任何光谱的谱带都存在本征宽化 ，其峰形 频电极是 由不锈钢制成的平行板 电极 ，电极 间距为 是对称的，通常观察谱线形状即可决定谱带数 目， 2—3cm，村底放在阴极板上，衬底由4支平行的碘 不对称峰或峰顶平坦的谱带表明有严重重叠的两个 钨灯加热，村底温度控制在 160(2，得到的DIc薄 膜的厚度为 0．9—1 m． 谱带 ]．据此并进行仔细观察，发现在 2855及