新一代33kVIGBT模块的开发.pdfVIP

第第4242 卷第卷第99 期期 力电子力电子技术技术 VVool.l.4242 NNoo.9.9 年年99 月月 PPoowweerr EElleecctrtrononiicscs SSepeptteemmbberer 一代3.3 kV IGBT 模块的开发 S Iura A Narazaki M Inoue S Fujita 渊三菱电机功率器件福岡制作所 日本 福岡 819-0192冤 摘要院大功率应用需要具有低功耗尧高可靠性的高压IGBT渊HVIGBT冤模块遥 然而这些特性通 是相互制约的 为达到 均衡的性能 三菱电机开发出一种精细平面型MOS 栅轻穿通HVIGBT 渊FP鄄LPT鄄HVIGBT冤与具有高短路承受能力的 软反向恢复高压二极管渊SR鄄HVDi 冤组合的新型结构遥采用这种新硅片组合的新一代3.3 kV HVIGBT 块能在降低功 率损耗的同时提高额定电流遥 关键词院模块/ 平面型MOS 栅轻穿透HVIGBT 曰 软恢复高压二极管 中图分类号 TM46 文献标识码 A 文章编号 1000-100X 渊2008 冤09-0076-03 Development of New Generation 3.3 kV IGBT Module S Iura A Narazaki M Inoue S Fujita 渊Power Dev ice Works Mits ubishi Electric Corp oration Fuk uoka 819-0 192 Jap an 冤 Abstract 院A high voltage IGBT 渊HVIGBT冤 module with high performance such as low power loss and high reliability is required for high power applications.However these performances often are in a reciprocal relationship with each other. Thus in order to achieve a balancing performance a newly developed chip鄄set adopts fine planar MOS鄄gate Light punch through HVIGBT 渊FP鄄LPT鄄HVIGBT冤 and soft reverse recovery HV鄄Diode with high robustness 渊SR鄄HVDi冤 structure as advanced design.The new generation 3.3 kV HVIGBT modules can reduce the power loss and increase the rated current by utilizing this improved new chip鄄set performances. Keywords 院 Module / FP鄄LPT鄄HVIGBT SR鄄HVDi 1 言 IGBT 的硅片厚 因此这种沟槽型结构带来的通态 HVIGBT 块已在轨道牵引和大功率工业驱动 压降的降低效果在高压IGBT 中并不明显遥 另一方 等领域得到了广泛应用 这些大功率应用要求其有 面 平面型栅极结构在并联使用中可达到更合适的 优良的性能 尤其是损耗低尧额定电流大以及运行结 输出特性和传递特性 而且比沟槽型结构更易通过 温范围大的特性遥 同时 要求 块易于并联