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微波功率器件及其材料的发展和应用前景 来源：《材料导报》 内容摘要：介绍了微波功率器的发展和前景，对 HBT, MESFET 和 HEMT 微波功率器 件材料的特点和选取，以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe 合金.InPSiC、 GaN 等新型微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制 现状及与国外的差距做了概述与展望。 文 剑 曾健平 晏 敏 (湖南大学应用物理系，长沙410082) 0 概述 由Ge、Si、Ⅲ-V化合物半导体等材料制成的，工作在微波波段的二极管、晶体管称为微 波器件。微波即波长介于1m~1mm之间的电磁波，相应频率在300MHz~300GHz之间。微 波半导体器件在微波系统中能发挥各方面性能，归纳起来为微波功率产生及放大、控制、接 收3 个方面。对微波功率器件要求有尽可能大的输出功率和输出效率及功率增益。进入20 世纪90 年代后，由于MOCVD(金属有机化学气相淀积)和MBE(分子束外延)技术的发展，以 及化合物材料和异质结工艺的日趋成熟，使三端微波器件取得令人瞩目的成就，使得HBT(异 质结双极型晶体管)、MESFET(肖特基势垒场效应晶体管) 以及HEMT(高电子迁移率晶体管) 结构的各种器件性能逐年提高。与此同时，在此基础上构成的MMIC(单片集成电路) 已实用 化，并进人商品化阶段，使用频率基本覆盖整个微波波段，不仅能获得大功率高效率而且， 噪声系数小。随着微波半导体器件工作频率的进一步提高，功率容量的增大，噪声的降低以 及效率和可靠性的提高，特别是集成化的实现，将使微波电子系统发生新的变化。表1 列出 了几种主要的三端微波器件目前的概况。 表1 微波三端器件概况 名称 类型 材料 工作原理 主要功能 结构特性 微波双极PN 结三端器 由电流控制对输入信号的放低噪声放大、功率窄线条、浅扩散、 Si 晶体管 件 大作用 放大、微波振器 n-p-n 微波异质 AlGaAs/GaA 结双极晶 异质结三端 sInP/InGaA 宽带发射区异质结 同上 同上 体管 器件 sPSi/SiGe/S NbNe (HBT) i 金属-半导 微波功率 由电压控制的对输入信号的 体接触三端 GaAs、SiC 同上 台面型、平面型 MESFET 放大作用 器件 高电子迁 通过由电压控制的高电子迁 移率晶体 异质结扬效AlGaAs/GaA 移率2DEG(二维电子气)浓 多层外延、异质结、 同上 管 应晶体管 sAlGaN/GaN 度和运动的变化实现输入信 台面型、平面型 (HEMT) 号的控制和放大 1 HBT 功率微波器件的特性及设计要点 微波双极型晶体管包括异质结微波双极型晶体管和Si 微波双极型晶体管。Si 器件自20 世纪60 年代进入微波领域后，经过几十年的发展，性能已接近理论极限，并且其理论和制 造已非常成熟，这可为后继的第二代、第三代器件借鉴。