不同晶化工艺对非晶纳米薄膜形核取向生长机理的影响.pdfVIP

不同晶化工艺对非晶纳米薄膜形核取向生长机理的影响.pdf

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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 % 4 ’$$% 4 , , , XSA 9% [S 9 4 K@2GR ’$$% ( ) #$$$4’P$+’$$%+% $4 + #44$L 75,7 )QZ.Y57 .Y[Y57 !’$$% 5R-I 9 )RBF 9 .SG 9 不同晶化工艺对非晶!# 纳米薄膜形核取向 生长机理的影响! 黄 文 曾慧中 张 鹰 蒋书文 魏贤华 李言荣! (电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 #$$% ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) ’$$ ’( ’$$ ( #$ 射频磁控溅射法室温下在 上制备非晶 ( ) 薄膜,非晶 薄膜分别经常规炉退火 )*+,-+ .-/ + .- )0 12 ,- / )1, ’ $ 3( $ 3%’ 4 ( )处理和快速热退火( )处理晶化为( ),( )不同择优取向的多晶薄膜 采用 射线衍射测定了薄膜相 567 8,7 #$$ ### 9 : 组分、择优取向度;用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了薄膜表面形貌,以及对应区域由自发极化形成的铁 电畴像,观察了不同取向薄膜的电畴分布特征 结果表明, 晶化过程钙钛矿结构 结晶主要以 界面处 9 8,7 )1, )1,+)* 的)*)0 化合物为成核点异质形核并类似外延的结晶生长,沿界面结晶速率远大于垂直膜面结晶速率,而567 晶化 样品成核发生在膜内杂质缺陷处,以同质成核为主 不同的成核机理导致了不同晶面择优取向生长 9 9 关键词: 薄膜,结晶,形核,力显微技术 )1, : , , , !$%% (%% (##$; $ ##) 钙钛矿结构的)1, 会以该金属化合物为成核点结 晶,并以( )面取向生长 可见铁电 薄膜的形 #3 引 言 ### 9 )1, 核结晶与取向生长机理还存在分歧,有待更确切的 钙钛矿结构的)012 ,- / 因有很大的剩余极 分析手段进一步研究证实9 我们曾借助压电响应力 ! # J ! 4 化值、高的居里温度和优良的

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