原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
1232 Acta Phys. - Chim. Sin. 2011, 27 (5), 1232-1238 May
[Article]
磁控溅射中靶-基底距离与Si 共掺对ZnO:Al 薄膜性质的影响
徐 浩1,2 陆 昉1 傅正文2,*
1
( 上海市分子催化和功能材料重点实验室, 表面物理实验室和物理系, 复旦大学, 上海200433;
2 化学系和激光化学研究所, 复旦大学, 上海200433)
摘要: 使用射频磁控溅射, 在正方形石英衬底上沉积透明导电掺Al 的ZnO(AZO)和Si 共掺AZO(AZO:Si)薄
膜. 系统研究了靶-基底距离(D )和Si 共掺对AZO 薄膜电学、光学性质的影响. 电阻率、载流子浓度和迁移率都
st
强烈地依赖于靶-基底距离, 随着靶-基底距离的减少, 载流子浓度和迁移率都有显著的增加, 电导率也随之提
-4
高. 在靶-基底距离为4.5 cm 处, 得到最低电阻率4.94×10 Ω·cm, 此时的载流子浓度和迁移率分别是3.75×
20 -3 2 -1 -1
10 cm 和33.7 cm ·V ·s . X 射线光电子能谱(XPS)、X 射线衍射(XRD)和边界散射模型被用于分析载流子
浓度、迁移率和靶-基底距离的关系. 透射谱显示, 在可见-近红外范围内所有样品均有大于93% 的平均透射
率, 同时随着靶基距离的减少, 吸收边蓝移. AZO:Si 表现出可与AZO 相比拟的高电导和高透射光学特性, 但在
热湿环境中却有着更好的电阻稳定性, 这在实际使用中很有意义.
关键词: AZO; AZO:Si; 靶-基底距离; 射频磁控溅射
中图分类号: O649
Effects of Substrate-Target Distance and Si Co-Doping on the
Properties of Al-Doped ZnO Films Deposited by Magnetron Sputtering
1,2 1 2,*
XU Hao LU Fang FU Zheng-Wen
1
( Shanghai Key Laboratory of Molecular Catalysts and Innovative Materials, Surface Physics Laboratory Depar
文档评论（0）