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中国科学: 技术科学 2012 年 第42 卷 第1 期: 13 ~ 21
SCIENCE CHINA PRESS
论 文
SnBi/Cu 界面Bi 偏聚机制与时效脆性抑制
张青科, 邹鹤飞, 张哲峰*
中国科学院金属研究所, 沈阳材料科学国家(联合)实验室, 材料疲劳与断裂研究部, 沈阳 110016
*E-mail: zhfzhang@
收稿日期: 2011-08-15; 接受日期: 2011-09-28
国家重点基础研究发展规划资助项目(“973”计划)(批准号: 2010CB631006)
摘要 长期时效的SnBi/Cu 界面出现的Bi 偏聚导致的界面脆性大大限制了Sn-58Bi 低温无 关键词
铅焊料的使用, 因此有必要在理解其产生机制的基础上研究抑制界面 Bi 偏聚及时效脆性的方 SnBi 焊料
法. 本文首先根据SnBi/Cu 焊接界面在液态反应(回流焊接)和固态时效过程中的Bi 偏聚行为讨 Bi 偏聚
界面脆性
论了偏聚形成的机制, 而后阐述了Cu 基体合金化和回流温度对Bi 偏聚行为的影响, 并讨论了
基体合金化
合金化抑制Bi 偏聚的微观机制. 此外还比较了SnBi/Cu 和SnBi/Cu-X 焊接接头的拉伸、疲劳性
回流温度
能和断裂行为, 证明了在消除界面Bi 偏聚之后SnBi/Cu 界面在拉伸和疲劳载荷下均不会出现脆
性断裂, 最后基于以上理解提出了消除界面脆性的新工艺方法.
Sn-58Bi 共晶合金曾被认为是用在电子封装领域 Bi 原子可能不是Bi 偏聚的唯一来源, 从SnBi 焊料扩
的传统 SnPb 焊料的理想替代品[1], 尤其是在低温无 散到达界面的Bi 原子也可能是偏聚的一个重要来源,
铅焊接领域, 因为其具有与后者类似的两相组织和 至少在SnBi-Cu 液态反应过程中已经证实如此[8]. 在
力学性能[2~5]. 此外, 铋(Bi)元素也常作为一种合金强 Cu 基体表面镀上一薄层的 Ag 或 Ni 可以阻止 SnBi
化元素加入其他系列的无铅焊料以提高其屈服强度. 和 Cu 接触而消除时效脆性[9, 10], 但这类方法并没有
然而, 在长期时效的 SnBi/Cu 焊接接头的 Cu3Sn/Cu 真正消除SnBi/Cu 界面的Bi 偏聚. Zou 等人[8]发现在
界面出现的Bi 偏聚严重降低了该连接界面的力学性 Cu 基体中加入一些合金元素(Ag, Zn, Al, Sn 等)可以
能[6], 导致容易沿该界面发生脆性断裂, 严重降低了 有效抑制 Bi 在界面上的偏聚而实现长期时效后仍不
接头的强度和可靠性[7~9]. 由于Cu 是印刷电路板中应 发生界面脆性断裂, 这种方法比较简单易行, 但是其
用最为广泛的基底材料, 这种时效脆性的出现极大 微观机制尚未得到很好地解释. 此外, 进一步的研究
地限制了SnBi 合金和其他含Bi 焊料在电子封装中的 发现Cu 基体中合金元素的含量和液态反应温度都对
应用. 界面 Bi 偏聚行为和抑制界面脆性的效果有显著影
近年来, 已经有大量研究SnBi/Cu 界面Bi 偏聚 响[11]. 为寻找更简单有效的抑制 Bi 偏聚的方法, 需
机制以及消除其所导致的界面脆性的文献报道. Liu 要进一步理
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