运算放大器电路的固有噪声分析与测量.pdfVIP

1 / 13 运算放大器电路的固有噪声分析与测量（七） 本文将讨论决定运算放大器 (op amp) 固有噪声的基本物理关系。集成电路设计人员在噪声 和其他运算放大器参数之间进行了一些性能折衷的设计，而电路板和系统级设计人员将从中 得到一些启发。另外，工程师们还能了解到，如何根据产品说明书的典型规范在室温及超过 室温时估算最坏情况下的噪声。 最坏情况下的噪声分析和设计的 5 条经验法则 大多数运算放大器产品说明书列出的仅仅是一个运算放大器噪声的典型值，没有任何关 于噪声温度漂移的信息。电路板和系统级设计人员希望能根据典型值找出一种可以估算最大 噪声的方法，此外，这种方法应该还可以有效地估算出随着温度变化的噪声漂移。这里给出 了一些有助于进行这些估算的基本的晶体管噪声关系。但是为了能准确地利用这些关系，我 们有必要对内部拓扑结构（如偏置结构和晶体管类型等等）进行一些了解。不过，如果我们 考虑到最坏情况下的结构，也可以做一些包括大多数结构类型的概略性说明。本节总结了最 坏情况下的噪声分析和设计的 5 条经验法则。下一节给出了与这些经验法则相关的详细数 学计算方法。 经验法则 1：对半导体工艺进行一些改变，不会影响到宽带电压噪声。这是因为运算放 大器的噪声通常是由运算放大器偏置电流引起的。一般说来，从一个器件到另一个器件的偏 置电流是相对恒定的。在一些设计中的噪声主要来自输入 ESD 保护电阻的热噪声。这样的 话，宽带噪声的变化超过典型值的 10% 是非常不可能的。事实上，许多低噪声器件的这种 变化一般都低于 10%。请参见图 7.1 示例。 宽带电流噪声要比电压噪声更容易受影响（主要是对双极工艺而言）。这是因为电流噪 声与基极电流密切相关，而基极电流又取决于晶体管电流增益 (beta)。通常来说，宽带电 流噪声频谱密度的变化不到 30%。 图 7.1 基于典型值估算的室温条件下的宽带噪声 2 / 13 经验法则 2：放大器噪声会随着温度变化而变化。对于许多偏置方案 (bias scheme) 来 说（如，与绝对温度成正比的方案，PTAT），噪声以绝对温度的平方根成正比地增大，因此 在大范围的工业温度内噪声的变化相对很小（如，在 25℃ 至 125 ℃之间仅发生 15% 的变 化）。但是，一些偏置方案（如，Zero-TC）可以产生与绝对温度成正比的噪声。对于这种 最坏情况而言，在同一温度范围内噪声变化为 33%，请参见图 7.2 图解。 图 7.2 噪声在最坏情况下和典型情况下的变化与温度的关系 经验法则 3：1/f 噪声（如，闪烁噪声）极易受工艺影响。这是因为晶体结构制造工艺 过程中会产生一些瑕疵，1/f 噪声的产生则与这些瑕疵有关。因此，只要半导体工艺得到很 好的控制，那么 1/f 噪声就不会出现较大的漂移。制造或工艺变化都会给 1/f 噪声带来巨 大的变化。大多数情况下器件产品说明书都给出了 1/f 噪声的最大值，却没有提及工艺或 最终测试时对器件进行的测量。如果产品说明书没有给出 1/f 噪声的最大值，那么，假定 在并没有对工艺控制进行优化来减少 1/f 噪声的情况下，三种变化因素可用来估算最坏情 况下的噪声，请参见图 7.3。 3 / 13 图 7.3：最坏情况下的 1/f 噪声估算 经验法则 4：电路板和系统级设计人员需要了解的一点是，Iq 和宽带噪声呈负相关。 严格来说，噪声与运算放大器输入差动级的偏置相关。但是，由于这类信息还没有正式公布 过，所以我们可以假定 Iq 与差动级偏置成正比。对于低噪声放大器