整齐排列的氧化锌纳米针阵列的场发射性能.pdfVIP

第 57 卷 第 11 期 2008 年 11 月 物 　理 　学 　报 Vol . 57 ,No . 11 ,November ,2008 ( ) 10003290200857 11 705706 ACTA PHYSICA SINICA 2008 Chin . Phys. Soc . 整齐排列的氧化锌纳米针阵列的场发射性能 肖　竞 　柏 　鑫 　张耿民 (北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室 ,北京大学电子系 ,北京 　100871) (2008 年 1 月 7 日收到 ;2008 年 4 月 2 日收到修改稿) 　　采用简单的热蒸发方法 ,不使用任何催化剂 ,在硅基底上制备出了两种垂直于基底 、整齐排列的氧化锌纳米针 阵列. 它们具有均匀的分布以及一致的取向和高度. 场发射性能研究表明它们同时具有较低的开启和阈值场强 ,稳 定的发射电流和长时间维持发射的能力. 较低的开启和阈值场强来源于它们较高的长径比和较细的尖端 ;稳定发 射电流和长时间维持发射的能力来源于它们在基底上均匀一致的分布以及由于较粗的根部带来的与基底的良好 接触. 实验结果表明整齐的氧化锌针状纳米结构阵列是一种理想的平面场发射材料. 关键词 : 氧化锌 , 热蒸发 , 阵列场发射 , 屏蔽效应 PACC : 6146 , 6150C , 7970 , 8110B 质[ 13 ] . 本文用一种简单的热蒸发方法 ,仅用 Zn 粉作 ( ) 1 引 言 为源 ,在较低的温度 550 ℃ 下直接在硅片上得到了 两种排列整齐的 ZnO 纳米针阵列. 场发射性能研究 氧化锌作为一种宽禁带半导体 ,近来受到了广 表明 ,它们具有较低的开启场强 、阈值场强和稳定的 泛的关注和研究. 由于氧化锌纳米结构常常具有比 发射电流 ,是一种较为理想的阵列场发射材料. 较高的长径比,较好的抗低真空、抗氧化能力以及生 物安全性 , 它在场发射方面的应用前景被普遍看 2 样品制备 好[ 1 ,2 ] . 氧化锌纳米结构的制备方法多种多样 ,包括 ( ) 气相法 、金属有机化学气相沉积法 MOCVD 、激光 我们的样品制备是在传统的水平管式炉中进行 ( ) [3 ] [ 14 ] 脉冲沉积法 PLD 、溶液法等 纳米结构也丰富多 ( ) 的 . 将 05 g Zn 粉 分析纯 ,纯度 995 % 作为源 彩 ,包括纳米棒 、线 、钉 、梳 、针 、带 、棋子等[4 ,5 ] . ( ) 置于石英舟中央. 把 n 型 111 取向硅片切割成 04 作为性能良好的场发射一维结构 ,材料应该具