扩散硅压力传感器应力计算建模.pdfVIP

电子下载站 资料版权归合法所有者所有 严禁用于商业用途 扩散硅压力传感器应力计算建模 李进军 石成英 摘要：本文依据弹性力学厚板原理建立扩散硅压力传感器的应力计算模型，根据电桥原理得到应力与其输 出电压之间的关系。计算结果与标定值比较，吻合良好。 关键词：应力计算；扩散硅；压力传感器 中图分类号：TP212.1 文献标识码：A 一、引言 扩散硅压力传感器是近几年发展较快的压力传感器，广泛用于工业、农业、军事、宇航等各个领域，并日 益成为各种压力仪器仪表和工业自动化装置的核心或关键部件，其性能的优劣会直接影响整个系统的准确 性和快速性。以往，人们大多依据弹性力学薄板原理，用解析法分析扩散硅压力传感器的工作原理，当受 压时，硅膜片上各点的应力不同，利用解析法计算电阻条上应力的平均值为 （1） 式中，s 、s —径向和切向电阻条上应力的平均值； r t r 、r —硅杯中心到电阻条两端的半径。 1 2 式（1）将电阻条视为一条线段，没有考虑其宽度。而大多数电阻条采用条宽为数微米至数百微米的 π 型 或三折型结构。因此，实际应力是电阻条所在区域的平均应力，而不是一条线段上的平均应力，并且式（1） 也没有考虑板的横向剪切变形。 为了精确分析扩散硅压力传感器的静态和动态特性、计算其性能指标，我们依据弹性力学厚板原理 ，采 用等参元素法建立了扩散硅膜片的应力分布数学模型。 二、弹性元件结构特性 欢迎光临中国最大的电子工程师应用网站 网址： 电子下载站 资料版权归合法所有者所有 严禁用于商业用途 扩散硅压力传感器通常是在硅膜片上用离子注入和激光修正的方法形成 4 个阻值相等的扩散电阻，组成一 个惠斯顿电桥，弹性元件典型结构如图 1 所示。在内压作用下，弹性元件结构会发生微小变形，导致表面 应变发生变化，使得四个应变片的电阻发生相应变化，并由电桥不平衡输出对应电压信号。从图 1（a）中 可知，结构和载荷是轴对称的，变形也是轴对称的。设硅杯半径为a，膜片半径为b，厚度为t，作用在膜 片上的压力为P， σ为膜片中心处的应力，则存在以下关系： 0 （2） 图 1（b）中，选用N型（110）晶面作弹性膜片，在沿110晶向的直径上制作四个等值P型硅电阻，R 、R 位 2 3 于正应力区，R 、R 位于负应力区，则该四个电阻只有纵向压阻效应 ，有： 1 4 纵向压阻系数： （ 为剪切压阻系数）； 横向压阻系数： 。 电阻改变量的符号取决于应力的方向，故： 正应力区： （3） 负应力区： （4） 式中， —电阻R 、R 所在半径r (2，3)处的径向平均应力； 2 3 —电阻R 、R 所在半径r (1，4)处的径向平均应力。 1 4 三、应力计算建模 在厚板单元的公式中，使用Mindlin假设：板的挠度是小的；变形之前中面的垂线在变形后仍保持不变， 但不一定垂直于中面；垂直中面的应力不论载荷如何都可忽略。于是位移场就可以由横向位移 ω和变形前