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维普资讯 耠 ，暇 蝴 s ， ， 第l4卷第l0期 半 导 体 学 报 Vo1．14，No．10 1993年 10月 CHINESE IoURNAL OF Oct．，1993 {0 ＼ 6三一Vs7 GaAs／Ga0．A10．As超晶格中场致激子峰 展宽机制的研究’ 江德生 李 锋 吴荣汉 半导体超晶格国家重点实验室，中国辩学院半导体研究所，~ 1o0o83 周均 梅笑冰 中国科学院橱疆每磊 子柬外延实验室，北京l0oo8o k “ 帅 啪 ”衅… 呲啪玫穑 ’ 我们利用光电流谱在10--300K温度范围内研究了GaAsIGa㈣AI。As(35^ ／33^)短周 期超晶格中的 Wannier—Stark效应 ，实验发现Oh檄子峰随电场的增加而展宽．我们把檄子峰 的场致展宽归困于 ：Wannier—Stark局域化使界面的涨落对 电子态的散射增加而使檄子峰展 宽．这种与电场有关 的散射机制会使 L．Esaki和 Tsu所预期的超晶格的负镦分电阻效应减 小． PACC： 6865，7135，7150，7220D 1．引言 理想的半导体超晶格是由严格周期重复的无缺 陷多量子阱组成 ，由于阱间电子态波 函数的共振耦合，电子态波函数完全扩展在整个超晶格中，电子能态分布在微带中．事实 上 ，即使用 MBE设备生长的优质 的超晶格材料，界面涨落也是不可避免的 “，超晶格严 格_的周期性不可能实现．这种周期性破缺对超晶格的电子态特性有重要影响．使扩展的微 带收缩，并在带尾形成局域态 ]．导致超晶格激子峰展宽 ，电子在超晶格中纵向输运的迁 移率降低等等 ]．最近，P．S．Jung 和 M．Krahl“等人在研究比较 了GaAs／GaAIAs 耦合和不耦合的多量子阱低温光谱中的激子峰半宽度之后，发现量子阱阱间电子态的共 振耦合能有效地屏蔽界面涨落对激子态的散射 ，使激子峰半宽度减小． 当沿着超晶格生长方向藏加电场 F时，相邻量子阱能级错开eFd(d是超晶格周期)， 共振状态被破坏 ，量子阱间耦合减弱，微带分裂成一系列等能量间距为eFd的 “Stark1ad_ der ，电子波函数逐渐局域在几个甚至单个量子 阱中，以致超晶格的行为像不耦合的 多量子阱．这样 ，Wanmer—Stark效应使界面涨落对电子态散射增强．本文利用光电流谱 研究了10--300K温度范围内，GaAs／Ga A1 As(35A／35A)短周期超晶格的Wannier— Stark局域化效应 ，在低温光 电流谱中发现0h激子峰的半宽度和强度随着 负偏压的增大 而增加，我们将它归因于Wannier—Stark局域化削弱了电子态的共振耦合，减弱了对界面 ·国家 自然科学基盘资助项 目