磁控溅射沉积氮化铝薄膜中等离子体光谱研究.pdfVIP

第 25 卷 　第 6 期 　　　　　　　　　　　西 　安 　工 　业 　学 　 院　学 　报 　　　　　　　　　　Vol25 　No6 2005 年 12 月 　　　　　　　　　J OU RN AL O F XIAN IN STITU T E O F T EC HN OL O GY 　　　　　　　 　Dec . 2005 文章编号 : 　100057 14 (2005) 065 1606 磁控溅射沉积氮化铝薄膜中等离子体光谱研究 杨建军 , 何欣 , 王燕斌 , 杨会生 (北京科技大学 材料科学与工程学院 ,北京 100083) 摘 　要 : 　薄膜材料由于其优异的性能 ,应用日益广泛. 薄膜生长过程的在线检测具有重要意 义. 为了研究等离子体发射光谱强度与气体流量的关系 ,对薄膜生长过程进行在线检测 ;应用 ( ) 等离子体发射监测仪 Pla sma Emi ssion Monitor 采集反应磁控溅射真空室中等离子体的发射 光谱. 对氮化铝薄膜沉积过程中等离子体发射光谱进行分析 ,结果显示氮的谱线强度和铝的谱 线强度随着氮气流量的增大都有明显而且相同的转变点. 通过理论模拟分析 ,得出以下结论 : 反应粒子光谱强度的转变反映了溅射模式转变点 ,并且通过直线拟合的方法找到转变点. 实验 结果与理论模拟分析取得了一致结果. 关键词 : 　反应磁控溅射 ;等离子体发射光谱 ;氮化铝 ;转变点 中图号 : 　T G174 . 444 　　　文献标识码 : 　A 　　　 ( 　　当今时代 ,薄膜 由于其优异的性能 力学 、电 与计算机相结合 ,采用计算机控制薄膜制备的全过 ) 学 、磁学 、光学 ,其应用日益广泛 ,薄膜科学技术的 程是薄膜科学技术发展的趋势之一. 对于用反应磁 发展日新月异 ,薄膜制备技术 日趋完善 ,但是薄膜 控溅射制备硬质薄膜的过程中 ,用等离子体发射光 生长过程的在线检测仍然是一个具有挑战性的课 谱来研究反应溅射中溅射模式转变点是光谱分析 题 ,要制备出性能优异的薄膜 ,必须在薄膜生长过 在薄膜制备中新的应用 , 用等离子体发射监测仪 程中对其成分进行在线监控. 对于用反应磁控溅射 ( Pla sma Emi ssion Monitor) 采集磁控溅射真空室 制备硬质薄膜的过程中 ,等离子体状态 , 即在等离 中等离子体的发射光谱 ,分析了等离子体发射光谱 子体中具有不同能量的各种反应粒子的密度 、分 线轮廓 ,研究了光谱强度与反应气体流量的关系 , 布 、能量直接决定着薄膜生长过程. 为了弄清反应 以及当反应气体流量达到一定量时 ,反应粒子光谱 溅射过程中等离子体中究竟存在那些粒子 , 以及粒 强度变化与溅射模式转变点之间的联系. 子密度 、分布 、能量等等对反应溅射过程中薄膜生 1 　实 验 长的影响 ,人们采用多种方法试图进行薄膜生长过 程的原位监测 ,光吸收谱法[ 1 ] ,质谱法[2 ] ,红外吸收 实验采用自行研制设计的 M P500 射频反应磁 [3 ] ( ) 光谱法 ,等等. 不仅对于更精确地在线控制薄膜 控溅射系统 图 1 , 以45 号钢为基体溅射成膜. 靶 成分和结构 ,更好的理解薄膜的生长机理 ,指导薄 材采用纯度为 99 . 99 % 的 Al 靶. 真空系统采用机 膜科学技术的研究非常