超精细图案光刻技术的研究与发展.pdfVIP

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4 No. 4 2002 12 M ICROFABRICAT ION T ECHNOLOGY Dec. , 2002 : 1003O8213(2002) 04O0001O06 1, 2 1 1 2 , , , ( 1 , 200030; 2 , 730000 ) :根据国内外研究和发展现状, 对有望突破 100nm 超精细图案光刻分辨率的 一些 关 技术进行了阐述, 其中包括曝光技术掩模技术光学系统改进和以离轴照明相 位移掩模多重滤光和图形演算为代表的分辨率增强技术等 : ; ; ; ; ; :TN30 #7 : A 1 , / 1. 2 Lm 130nm, 10w ph ( 100mm) 100 wph( 200mm) , ( ULSI) 1 , 1 000 , , , 30% 0. 2 Lm 2 6M DROM, 0. 18Lm 1G DROM, 2010 2 70nm, 64G DROM [ 1] ; , 1 , 0 , [ 2] R ( ) NA [ 3] / Kk 1 : : 2002O07O04; : 2002O08O12 : ( 197 - ) , , , , ; ( 19 - ) , , , , , ; ( 19 7- ) , , , , 2 2002 R = k 1#K/ NA ( 1) ( u- SPM) , 30nm, , [9- 11] 3 , k 1 0. , ( 2 ) 3 , NA 0. 6 2 , : D OF = ? k 2#K/ ( N A ) 2 ( 2) , 248nm , 180 nm 1 0 nm ; 193 [ 12] , nm , , 193nm NA [ 13] , 4 NA IBM 120 nm F 1 7 nm 2 [3] 100~ 70 n

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