薄膜的散射研究XGaNRaman.pdfVIP

第 24 卷 第 3 期 中　国　稀 　土 　学 　报 2006 年 6 月 　 　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　 Vol . 24 №. 3 J OURNAL OF THE CHIN ESE RARE EARTH SOCIETY J un . 2006 掺铕 Ga N 薄膜的 Raman 散射研究 张春光 , 卞留芳 , 陈维德 ( 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室 , 北京 100083) ( ) 摘要 : 采用金属有机物化学气相沉积 MOCVD 和离子注入的方法制备了掺铕 GaN 薄膜 。利用 Raman 散射技术研究薄膜的晶格振动 , 从而确 定离子注入引进的晶格损伤变化情况 。结果表明, Eu 离子注入剂量越大 , 对晶格的损伤越严重 ; Eu 离子注入的能量越高 , 对晶格的损伤也 越严重 ; 采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤 。离子注入后进行高温退火 , 可以使晶格中的 Ga 空位引起的缺陷得到有效的恢复 , 而N 空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman 谱研究表明, 1000 ℃的高温退火导致了 GaN 的分解 。 关键词 : GaN ; Eu ; 金属有机物化学气相沉积 ; Raman 散射 ; 铕 ; 稀土 中图分类号 : O6 14 . 33 ; TN304 . 2 ; O482 . 3 1 　　文献标识码 : A 　　文章编号 : 1000 - 4343 (2006) 03 - 0279 - 05 　　掺稀土 GaN 有许多独特的优点 , 在光电子领 本文采用 Raman 光谱来研究 Eu 离子注入 GaN 晶 域 , 如平板显示 、光纤通信和发光器件等有重要的 格的缺陷 , 并揭示一些缺陷产生的原因。据我们所 潜在应用前景[ 1 ] 。对于平板显示 , 虽然液晶技术 知 , 还没有人报道采用 Raman 光谱研究 Eu 离子对 (LCDs) 已得到广泛应用 , 但是它本身也存在缺点 , GaN 薄膜带来损伤的实验结果 。 比如不耐低温 、限制视角范围以及需要外部激发 1 　实 　验 光源等 。因此人们正在寻找一种能够替代液晶产 品的技术 , 比较有前景的技术包括 : 薄膜电致发光 掺铕的 GaN 薄膜的制备过程可以分成 3 个步 ( ) ( 4 ) 技术 TFELDs 、场发射技术 、等离子体技术 以及 骤 。第一步是采用低压 1. 0 13 ×10 Pa 金属有机物 [2 ] ( ) ( ) 有机 发 光 二 极 管 , 其 中薄膜 电致 发 光 技 术 化学气相沉积 MOCVD 的方法在Al O 000 1 衬底 2 3 (TFELDs) 替代液晶技术的可能性最大[3 ,4 ] , 因为它 上外延生长单晶的 GaN