高温退火机理研究.pdfVIP

第 57 卷 第 7 期 2008 年 7 月 物 　理 　学 　报 Vol . 57 ,No . 7 ,July ,2008 ( ) 10003290200857 07 448705 ACTA PHYSICA SINICA 2008 Chin . Phys. Soc . Al Ga NGa N 高电子迁移率晶体管肖特基 高温退火机理研究 林若兵 　王欣娟 　冯 　倩 　王 　冲 　张进城 　郝 　跃 ( 西安电子科技大学微电子学院 ,宽禁带半导体技术重点实验室 ,西安 　710071) (2007 年 9 月 18 日收到 ;2007 年 12 月 5 日收到修改稿) 　　在不同应力条件下 ,研究了Al GaNGaN 高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌 、栅泄漏电流以及击穿 电压的变化. 结果表明 ,Al GaNGaN 高电子迁移率晶体管通过肖特基高温退火以后 ,器件的特性得到很大的改善. 利 ( ) ( ) 用电镜扫描 SEM 和 X 射线光电子能谱 XPS 对高温退火前 、后的肖特基接触界面进行深入分析 ,发现器件经过高 温退火后 ,Ni 和 Al GaN 层之间介质的去除 ,并且 Al GaN 材料表面附近的陷阱减少 ,使得肖特基有效势垒提高 ,从而 提高器件的电学特性. 关键词 : Al GaNGaN 高电子迁移率晶体管 , 肖特基接触 , 界面陷阱 PACC : 7340N , 7360L , 7330 电流特性上 ,而机理的研究报道比较少. Miura 等人 1 引 言 认为高温退火减少金属与Al GaN 界面的缺陷或者形 成岛状 Ni 的氧化物 ,从而减少了泄漏电流[6 ,7 ] . 金属 ( ) Al GaNGaN 高电子迁移率晶体管 HEMT 由于 与Al GaN 之间的紧密接触或材料的相对介电常数增 具有禁带宽度大 、电子饱和速度高和击穿电场强等 大而提高了肖特基势垒高度[8 ] . 以及退火过程中氧 [ 1] 优点 ,非常适合应用于高频 、大功率与高温器件 . 作用下Al GaN 材料形成 Ga 空位 、肖特基表面形成氧 目前 ,在蓝宝石衬底上的Al GaNGaN HEMT 器件最 化物等引起了肖特基势垒的增加[9 ] ,减小泄漏电流 , 大饱和电流为 1130 mAmm[2 ] ,截止频率 f T 可达到 抑制电流崩塌 ,提高器件的击穿电压. 目前研究者对 107 GHz ,最大振荡频率 f max 可达到 151 GHz[3 ] ,X 波 肖特基高温退火机理没有统一的说法 ,还有待更进 段连续波功率密度达到 30 Wmm[4 ] . 尽管 Al GaN 一步深入研究. GaN HEMT 器件在微波大功率特性方面取得很大的 本文根据退火前后的肖特基 电流崩塌量的不 进步 ,但是仍然存在两个问题严重阻碍其在微波大