反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究.pdfVIP

第 6 卷 　第 4 期 功能材料与器件学报 Vol . 6 ,No . 4 2000 年 12 月 JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES Dec . ,2000 文章编号 :1007 - 4252 (2000) 04 - 0420 - 05 反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究 陆建祖 , 魏红振 , 李玉鉴 , 张永刚 , 林世鸣 , 余金中 , 刘忠立 (集成光电子学国家实验室 中国科学院半导体所 , 北京 100083) 摘要 : 以 SF N 混合气体对 Si 反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺 6 2 模拟的方法 :在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真 模型 ,可以予测给定射频功率 、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以仿真实验数据 训练模型学习 ,模型具有通用性 ,与设备无关 。 关键词 :干法刻蚀 ;工艺仿真 ;人工神经网络 中图分类号 :TN305. 7 　　文献标识码 :A 1 　引言 ( ) 反应离子刻蚀 RIF 是利用一定压强下刻蚀气体在高频电场的作用下 ,使气体辉光放电产 生分子激励和活性基 ,对刻蚀物离子轰击和化学反应生成挥发性气体形成刻蚀 。反应离子刻 蚀工艺不但广泛地应用在微电子领域 ,而且是集成光学 ,微光机电集成加工的重要手段 ,光波 导 、光开发 、微光学部件都需要精确地依赖于干法刻蚀的工艺特性 ,加工各种立体图案 ,模拟器 件光电特性 。反应离子刻蚀是一种复杂的物理 、化学反应过程的工艺 ,刻蚀特性不仅与射频功 率 、气比、气流量 、工作气压等刻蚀条件密切相关 ,而且与刻蚀设备及环境有关 。它们之间存在 着关系 。 ( ) P刻蚀 = f RF ,V1 ,V2 , …… + C 建立反应离子刻蚀工艺仿真模型通常有二种办法 :解析法与系统辨识法 。解析法就是从 理论上推导上述关系 ,这有赖于精确测量和严格的加工材料组份控制 ,才有可能导出有意义的 解析式 ,这种方法对工艺模型是极困难的。我们采用了系统辨识法建立刻蚀工艺模型 ,即利用 从实验中得到的系统的输入 、输出数据 ,借助于数学方法建立仿真模型 。 2 　SF N 反应离子刻蚀工艺研究 6 2 采用的刻蚀设备为中科院微电子中心生产的ME Ⅲ型磁增强反应离子刻蚀仪 。射频频率 13 . 56MHz ,射频功率 0500W ,极限真空 1 ×10 - 2 Pa , 反应电极平行板铝电板 ,直径 14 。模式 :普 通和磁增强 ,实验样品:N 型 100 晶面硅单晶 , 电阻率 :16～29Ω·cm ,刻蚀图案 :宽度为 20μ m , 收稿 日期 :2000 - 07 - 04 ;修订日期 :2000 - 08 - 30 ( ) 基金项 目:“863 ”资助项 目307 - 15 - 3 08 ( ) 作者简介 :陆建祖 1945 - ,男 ,研究员 ,主要从事计算机及其系统应用. 4 期 　　　　　　　　　　陆建祖等 :反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究 　　　　　 42 1 μ μ μ μ 15 m ,10 m 和 5 m 缝 ,条缝间距为 20 m ,掩蔽材料 :200～500nm 的 Cr 。实验结果分别通过扫 描电镜 、台阶仪及 Auger 能谱仪测量 。 ( ) 1 刻蚀速率 　器件加工刻蚀速率是基本参数 ,受射频功率 ,混合气比及气流量的影响。在 SF N 干法刻蚀