半导体ZnTe246;GaAs界面层错的高分辨显微分析.pdfVIP

166 　　　　 17 (2) ∶166～ 17 1　1998 年 半导体 界面层错的 Zn T e GaA s 高分辨显微分析 韩培德 ( 1 中国科学院凝聚态物理中心, 北京电子显微镜实验室, 北京 100080) (2 中国科学院半导体研究所, 半导体材料科学开放实验室, 北京 100083) 摘　要　本项研究对经热壁外延(HW E ) 生长在 GaA s 基底上的ZnT e 进行高分辨显微结构的观察。 在 界面上不仅存在着混合型全位错的扩展, 而且首次发现类似螺旋位错分解的层错, 并 ZnT e GaA s 将其归结为原子在不全位错之后的堆积。 关键词　层错　螺旋位错　 不全位错　 异质结构 Shock ley ZnT e GaA s 位错对于半导体器件来说是有害的。为了减少位错, 就必须知道它们的来源。这引起了许多 科学家的兴趣。在任何一个外延的半导体异质结构中, 位错可分成位于界面的失配位错和位于膜 [ 1 ] [2 ] 中的穿透位错。无论失配位错来 自穿透位错的弯折 、还是来 自半位错环 , 它都需要有一个 [3 ] B u rger s 矢量的刃型分量来释放薄膜中的应变和应力 。因此, 排除了螺旋位错出现在界面上的 可能性。随着失配度的增加, 半导体外延结构变得更加复杂。越来越多的刃型位错( ) 在界 L om er 面形成, 同时, 大量的穿透位错和孪晶出现在薄膜内。虽然刃型的L om er 位错在大的失配界面是 无法避免的, 但是人们进行了大量的努力去压服那些膜内位错。如: 用外延取向的小角偏离( m is ) [4 ] [ 5 ] o r ien tat ion 来抑制孪晶 , 用超晶格来弯折部分穿透位错 。尽管如此, 仍有许多层错和微孪晶 集中在大失配的界面。其中, 多数的堆垛层错是属于混合型全位错的分解, 它们的两端是Sho ck [ 6 ] ley 不全位错。而少数层错在膜内的一端为F rank 不全位错 。本文将首次报道一种类似螺旋位 错分解的层错存在于 界面, 并讨论了它所可能的来源。 Zn T e GaA s 实　　验 ( ) ( ) 将未掺杂 GaA s 基底的 00 1 表面朝 110 方向研磨成 2 °小角倾斜, 其后用机械抛光, 丙酮、 三氯乙烯和去离子水清洗, 再用 ∶ ∶ ( ) H 2