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我想采用上图采用的方法进行过压保护，这图是参考别人的一个设计方法，但是其中有的解释我不太明白，原文的过压保护解释是这样的
正常时：光耦阳极3.12V、阴极2.05V，压降1.07V（典型压降1.2V）；基准431控制极为2.5V，正极电压2.05V；可控硅MCR100的控制极电压0.24V。3.3V超过4.2V（稳压管4A2）、5V超过6.2V（稳压管6B2）后，将导通稳压管，使R25/220欧上电压达到0.608V（典型0.7V），如下图。
则MCR100导通，使光耦的阴极电压从2.05V拉低到0.5V左右，如下图。
这样光耦发光变大，光耦初级电压上升，三极管V6导通，将3842的Pin8的Vref拉低，从而关断芯片内部的时钟源，实现过压保护。但是，从上述波形看，该保护是不彻底的，即过压后3842一直在试图恢复输出，故输出呈现间歇性上电，如下图。
CN-8010D过压保护-5V.PCX CN-8010D过压保护-3.3V.PCX 对于其中所说的三极管V6导通，将3842的Pin8的Vref拉低，我不明白其中具体的过程是怎样的，而且我曾经在网博论坛上有看过这样一种说法，如下图所示：
我感觉两图差不多，但作者说光耦这样的接法是说进行过载和短路保护在过载或短路时，输出电压降低，电压反馈的光耦不再导通，辅助关断电路当检测到光耦不再导通时，延迟一段时间就动作，关闭电源。采取抬高第2脚，进而使第1脚降低的方法
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