稀土金属掺杂ZnO磁学和光学性质的第一性原理研究.docVIP

稀土金属掺杂ZnO磁学和光学性质的第一性原理研究( 杨磊 方源达 宋丹丹 刘临利 郑全超 江建军? (华中科技大学电子科学与技术系, 武汉 430074) 基于全势线性缀加平面波方法，对Nd掺杂ZnO的电子结构、磁学性质和光学性质进行了计算，同时研究了空位缺陷对Nd掺杂ZnO磁学性质和光学性质的影响.通过分析体系的总能和态密度图表明：当不存在本征缺陷时，Nd掺杂ZnO倾向于呈现室温顺磁性；VZn有利于增大体系的磁矩，稳定室温铁磁性；Nd掺杂ZnO的铁磁性来源于载流子调控的铁磁p-f交换耦合作用.光学性质的研究表明Nd的4f轨道电子跃迁使得ZnO吸收谱上1.5 eV出现了尖锐的峰值，造成ZnO禁带宽度减小，紫外-可见光区的吸收能力增强. 关键词 PACC: 7115A,7115M 1. 引 言 稀磁半导体[1-5]可以在不改变传统半导体其他性质的情况下将半导体的电荷性和电子间的自旋耦合集中于同一种材料使其具有优异的磁[6]、磁光[7]、磁电[3, 8]等性能在高密度非易失性存储器、磁感应器和自旋量子计算机等领域具有重要应用稀磁半导体 Dietl等[9]理论计算了各种稀磁半导体材料的居里温度其结果表明在具有宽禁带的氧化物半导体ZnO中掺入磁性离子后可能制备出具有室温磁性的稀磁半导体. Ueda等[10]在过渡金属掺杂ZnO薄膜中观察到居里温度高于280 K的铁磁行为，因此磁性离子掺杂ZnO的研究越来越受到人们的关注[11-13]. 由于稀土金属本身的光学，人们预计稀土金属掺杂ZnO不仅具有室温铁磁性，还会表现出异的光学，在磁光器件领域有广泛的应用前景.稀土金属掺杂ZnO已经有许多实验报告，Ungureanu等[14]研究了Gd，Nd掺杂ZnO的铁磁性，磁输运性质的测试在5 K时发现了Nd掺杂ZnO的负磁阻效应，他们认为稀土离子之间不存在磁交换作用；Jadwisienczak等[15]研究了Nd等稀土金属掺杂ZnO的光学性质，观测到稀土离子引起的发光现象，他们提出相对于ZnO的激子激发而言，Nd离子中心的发光现象十分微弱.至目前为止，理论计算和分析. 由于稀土元素的原子半径较大，所以稀土金属掺杂通常会ZnO晶体产生空位缺陷[14, 15]，根据实验条件的存在或空位.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波方法，对不含缺陷的Nd掺杂ZnO，含的Nd掺杂ZnO三体系的电子结构铁磁性和光学特性进行了计算，并对铁磁性产生机理缺陷对铁磁性和光学性质的影响进行了分析. 2.1 理论模型 ZnO是六方纤锌矿结构，空间群为，晶格常数a=b=0.3249 nm，c=0.5205 nm，α=β=90°，γ=120°.其中c/a为1.602，比理想的六角柱紧堆积结构的1.633稍小.在c轴方向，Zn―O键为0.1992 nm，在其他方向为0.1973 nm，其晶胞由氧的六角密堆积和锌的六角密堆积反向套构而成.本文中ZnO晶体的由32个原子组成ZnO (2×2×2)超晶胞.Nd掺杂ZnO晶体中，每32个原子中有两个Zn原子被Nd原子所替换，Nd掺杂ZnO的超晶胞如图1所示.在计算Nd掺杂ZnO同时存在或空位的体系时，每32个原子中存在一个空位缺陷. (2×2×2)超晶胞 2.2 计算方法 本文的计算工作利用全势线性缀加平面波[16](FP-LAPW)方法WIEN2K软件[16]完成FP-LAPW方法是目前计算晶体电子结构最为准确的方法之一在处理电子的交换关联势时，以密度泛函理论(DFT)为基础，考虑相对论效应，使用局域密度近似[17](LDA)或广义梯度近似[18](GGA). 第一性原理计算中LDA或GGA方法在研究过渡元素或稀土元素时存在着众所周知的误差采用LDA+U或GGA+U[17]方法可以修正所得的结果使其更接近真实的情况. 本文计算中采用了广义梯度近似，考虑库仑势修正GGA+U)，原子Muffin-tin球半径分别取Zn193)、O(0.171)、Nd(0.218) nm.价态电子和内壳层电子的能量截断因子为–. 自洽场计算的收敛判据取总能量的变化小于等于0.0001 Ry，电子电荷变化小于等于0.0001 eV/nm.第一布里渊区内选取4×4×4的k点网格.Nd原子4f态电子的库仑排斥能U=10.0 eV，交换势J=0.88 eV[19]. 在对体系进行晶格结构优化时，采用了超软赝势的方法[20]ASP软件包. 3. 结果与讨论 3.1 Nd掺杂ZnO的电子结构 为了研究Nd掺杂ZnO的铁磁性，本文计算了不存在本征缺陷的Nd掺杂ZnO，存在VO的Nd掺杂ZnO，存在VZn的Nd掺杂ZnO三个体系在铁磁态，反铁磁态下的态密度和总能，并计算了反铁磁态和铁磁态的能量差. 图2 三个体系铁磁态下的态密度(a)Nd掺杂ZnO