半绝缘砷化稼单晶微区均匀III测试方法.pdfVIP

昌 用 酬 中华人民共和 国电子行业军用标准 FL5971 5J20844-2002 半绝缘砷化稼单晶微区均匀IIII测试方法 Testmethodformierozonehomogeneityofsemi-insulating monocrystalgalliumarsenide 2003-03-01实施 中华人 民共和 国信息产业部 批准 中华人民共和国电子行业军用标准 半绝缘砷化稼单晶微区均匀性测试方法 SJ 2084车to2002 Test method for microzone homogeneity of semi-insulating monocrystal酗Hum arsenide 范围 .I主题内容 本标准规定了半绝缘砷化镍晶片电电隧架人)碳浓赓、卫成浓鹰和PL谱微区均匀性测量方法. .2适用范围 本标准适用于半绝缘不申化稼茹片中龟阻率、碳浓度、EL2形度和PL谱微区均匀性的测定。 2引用文件 GJB 1927--94砷化稼单晶材料侧试方法 GBIT 17170-1997 AV掺杂半维缪R军E单品深能级EL2浓度红外取收}?航V S3 20635--091塔绝缘钾化眯不弓杀杂质浓度撒区试验方法 3 定义 3. 1 EL2浓度 E,Uxocentruion EL2是砷化嫁中，独本征缺陷，EL2浓度是这种缺陷在砷化嫁体内浓玫霎 3.2碳受主浓度}}gbdn acftptft, concentraticd 碳是砷化惊中_40AM的tiA性中1}A U,a I., A砷化巍rif至耍}A舌据砷位的爱主形式存在，所引起的 能级位置在价带之止仪傀双户处涪 3.3光致发光谱沪L谱r}phi luminescence spectrum 当激发光照射到被i J样儡表面时、_材料出现本征吸收，而且产生一成量TINE子一空穴对，它们通过不 同的复合机理进行复合，Nlz`)}发,qO发射*A逸出表面前会受到样品本势M 吸收，逸出表面的发射 光经会聚进入单色仪分光，然浩OW. 收并赦丸碍MM强度r*T 能量分布的曲线，即光致发 光谱. 4一般要求 4.1测量的标准大气条件 a.环境温度:18℃一25 oC; h.相对湿度:簇70%. 4. 20123Tx境条件 测量实验室不允许有机械冲击和振动，也不允许存在电磁千扰，洁净、无腐蚀性气体，以确保测量 精度。 一 一 一 — 一一.- 中华人民共和国信息产业部2002-1D-30发布 2003-03-01实施 1 标准分享网 免费下载 sJ20844--2002 一一一— 一~~一一一一~~一一一一~~~一一-~一~一 5 详细要求 本标准采用独立编号方法，将四种测试方法列为: a，方法101半绝缘砷化惊晶片中电阻率微区均匀性测试方法; b.方法102半绝缘砷化稼晶片中碳浓度微区均匀性测试方法; c.方法103半绝缘砷化稼晶片中EL2浓度微区均匀性测试方