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59 6 2010 6
第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol. 59 ，No. 6 ，June ，2010
1000-3290 / 2010 / 59 (06)/3924-06 ACTA PHYSICA SINICA 2010 Chin. Phys. Soc.
光子晶体对太赫兹波的调制特性研究*
张 戎 曹俊诚
( ， ， 200050)
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海
(2009 7 13 ;2009 11 9 )
年 月 日收到 年 月 日收到修改稿
n-GaAs / . ，
利用传输矩阵方法研究了掺杂半导体 聚碳酸脂一维光子晶体的太赫兹波透射谱 研究结果发现 与一
， ，
般由两种介电材料组成的一维光子晶体不同 由于掺杂半导体中自由载流子对太赫兹波存在较强的吸收 所以这
， n-GaAs .
种材料组成的一维光子晶体除可形成光子带隙外 还可以增强 对太赫兹波的透射 同时还提出了一种基于
，
这种一维光子晶体的太赫兹波调制器 通过外加电压控制半导体中电子浓度的大小可实现对太赫兹透射波幅度的
调制.
: ， ，
关键词 掺杂半导体光子晶体 太赫兹波 太赫兹波的调制
PACC :4225B ，7865K ，4280S
而合理的器件结构设计和材料参数选择甚至可以
， Fabry-Perot (FP)
1. 引 言 使金属在可见光波段透明 这与 腔
透射共振现象有关.
太赫兹 (THz)波通常是指频率在0. 1—10 THz 掺杂半导体中的载流子吸收在远红外、THz 这
［2 ］
. THz ， ，
的电磁波 由于很多材料本身对 波没有响应 种长波波段非常明显 这一问题在将量子级联激
THz .
( THz 光器推广到 波段时就曾遇到过 理论研究指
且长时间以来这一频段的很多相关器件 如
，
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