量子点的诱导生长和发光特性研究.pdfVIP

第 卷 第 期 ! 发 光 学 报 2O7 ? ! .O D 年 月 ， !’ $ 1TE.4S4 U0V W.HG 0X G V / E.4S14.14 HLY D !’ 文章编号： （ ） %#+’! !’ #’$#C !#$% 量子点的诱导生长和发光特性研究 % ! ! % % 李昱峰 ，韩培德 ，陈 振 ，黎大兵 ， % % % % % 王占国 ，刘祥林 ，陆大成 ，王晓晖 ，汪 度 （ 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 ； % D %$’ ! D 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心，北京 %$’ ） 摘要：降低E;)-. 的维数是提高)-. 基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在 高密度E;)-. 量子点的生长和分析上。在 /0123 设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温 )-. 表面生长了一层低温岛状)-. ，形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状 )-. 的诱导性作用下生长并形成E;)-. 量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微 观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明： 量 E;)-. 子点为平均直径约 、高度约 、分布较均匀的圆锥，其密度约 %% , ! 。室温下， 量子点材料 ’;5 !C;5 % A5 E;)-. 的FG 谱强度大大超出相同条件生长的E;)-. 薄膜材料。这些现象表明，用 E;)-. 量子点代替普通 E;)-. 薄膜，有望获得发光效率更高的)-. 基发光器件。 关 键 词： ；量子点；诱导生长；微观形貌；发光 E;)-. 中图分类号： ； 文献标识码： 0+! ? ’ 0$! ? ’% H ［］ 结构的侧面生长 $ ；或者在掩膜、刻蚀后的表面 % 引 言 ［， ］ * % 上选择性生长 。 世纪 年代超薄层外延技术的发展完善 直接生长法。在各种自然表面上直接生 ! + ’ ?