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第 卷 第 期 催 化 学 报 年 月
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AJ+!!KJ! F436*I*J5L6/+JMF/9/+I3I O/L84!$
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文章编号: ( )
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过渡金属离子掺杂改性!# 的光催化性能研究进展
$
刘 畅, 暴宁钟, 杨祝红, 陆小华
(南京化工大学化工学院,南京 )
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摘要:对近年来利用过渡金属离子掺杂改性 的光催化性能研究进行了综述 分析了掺杂金属离子的种类、掺
)3?
!
杂浓度和掺杂制备方式等对)3? 光催化性能的影响,并提出了今后的研究方向
!
关键词:二氧化钛,光催化,过渡金属,掺杂,改性
中图分类号: 文献标识码:
?(- @
近年来, 的光催化性能日益受到人们的重 附物发生反应之前,容易进行直接或间接的复合,使
)3?
!
视 由于 具有良好的化学稳定性、抗磨损性、 光量子效率降低。因此,电子与空穴的复合时间越
)3?
!
低成本以及可直接利用太阳光等优点,因而在光电 长,界面电荷传输速率常数越大,则催化剂的光活性
转换、光化学合成以及光催化氧化环境污染物等方 越高
[ ]
面具有广阔的应用前景$- 但是,由于 光催 由于过渡金属元素存在多化合价,在)3? 中掺
)3? !
!
化剂带隙较宽( ),只能被波长较短的紫外线 杂少量过渡金属离子,可使其成为光生电子 空穴对
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激发,故使得太阳能的利用率很低;而且,由于光激 的浅势捕获阱,延长电子与空穴的复合时间,从而提
发产生的电子与空穴的复合,导致光量子效率很低 高 的光催化活性 而且,由于多种过渡金属离
)3?
!
为克服这两个缺点,人们使用多种手段对)3? 进行 子具有比)3? 更宽的光吸收范围,故可更有效地利
! !
改性,其中包括贵金属修饰、半导体复合、染料敏化 用太阳能
[,]
和过渡金属离子掺杂等,
过渡金属离子掺杂可在)3? 晶格中引入缺陷 $ 影响掺杂效果的因素
!
位置或改变结晶度,从而影响电子与空穴的复合; $%
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