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doi: 
   103969/jissn1003353x2010z1051 
                 CCDMOS高精度界面态的测试研究 
                       ,  , ,  ,  , 
                袁之光荣丽梅张富杜江峰郭跃伟郭宇恒 
                     (电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 ) 
                                                          610054 
       摘要:高精度界面态测试是  可靠性研究的关键问题。分析了电导法测试的误差, 
                              CCDMOS 
    讨论了采用               电导法测试能达到的精度,并建立模型分析研究了寄生电阻、寄生电容 
             Agilent4294A 
    和误差的关系,也对  样品进行了测量及相关讨论。该方法界面态测试精度小于10                                     2 
                     CCDMOS                                              10 cm 
      1,研究结果为            高精度界面态测试提供了重要依据。 
    eV            CCDMOS 
        关键词:CCDMOS;电导法;界面态 
        中图分类号:             文献标识码: 文章编号:                     ( )增刊 
                  TN407               A             1003353X 2010    018803 
                     StudyonHighAccuracyMeasurementof 
                             CCDMOSInterfaceState 
                    ,          ,         ,           ,           , 
        YuanZhiguang RongLimei ZhangFu DuJiangfeng GuoYuewei GuoYuheng 
(                                ,                                 ,           , ) 
 SchoolofCommunicationandInformationEngineering UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina Chengdu 610054 China 
              : 
       Abstract The high accuracy measurement of interface state is the key point of CCD reliality The 
    precisionandparasiticerrorofconductormethodusingAgilent4294Aisanalyzedbymodeling Furthermore, 
                                            , 
    theCCDMOSsamplewasmeasuredbyconductormethod andtheresultwasdiscussed Theresearchisnot 
                                            10  2 1 
                                                 ·, 
    onlyprovetheprecisionofconductormethodlessthan10 cm eV  butalsoprovidehighaccuracymethod 
    andimportantin
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