MOS管栅极电荷Q测试仪的设计.pdfVIP

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第30 卷 第6 期 天 津 工 业 大 学 学 报 Vol.30 No.6 圆园11 年12 月 允韵哉砸晕粤蕴 韵云 栽陨粤晕允陨晕 孕韵蕴再栽耘悦匀晕陨悦 哉晕陨灾耘砸杂陨栽再 December 2011 MOS 管栅极电荷Q 测试仪的设计 g 1 2 2 钟晴晴 ,林志贵 ,张彩霞 , , 1. 天津工业大学 电气工程与自动化学院 天津 300387 ;2. 天津工业大学电子与信息工程学院 天津 300387) : 、 ,设计了一款便携式 ,并给出了 摘 要 AD9218 芯片为AD 采集芯片 MCF56F8257 DSC 为主控制器 的Q 测试仪 g 设计原理及实验结果. 结果表明,该设计能准确测得Q ,同时也为同类参数测量提供参考. g : ;测试仪; 关键词 MOS 管;栅极电荷 AD9218;MCF56F8257 : : 中图分类号 TN386.1 文献标志码:A 文章编号 远苑 原园圆源载 圆园11)园6原园园63原园4 Design of MOSFET s Qg measurer 1 2 2 ZHONG Qing-qing ,LIN Zhi-gui ,ZHA NG Cai-xia 1. School of Electrical Engineering and Automatic ,Tianji n Polytechnic University ,Tianj in 300387 ,China ;2. School of Electronics and Information Engineering ,Tianj in Polytechnic University ,Tianji n 300387 ,China) Abstract :AD9218 is chosen as the AD chip ,and MCF56F8257 is chosen

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