ZnO复合结构场发射阴极的研究.docVIP

  ZnO 复合结构场发射阴极的研究# 刘玉会，郭太良，叶芸，张典，吴薇，林锑杭** （福州大学物理与信息工程学院，福州 350002） 5 10 15 20 25 30 35 40 摘要：首先采用水热法制备了 ZnO 的纳米棒阵列，然后利用化学气相沉积(CVD)法在纳米 棒上生长 ZnO 纳米线，生成 ZnO 的复合结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、光致发光谱(PL) 测试及场发射(FE)测试对所制备的 ZnO 复合结构的形貌、光学性质以及场发射性能进行了 表征与研究。结果表明，与 ZnO 纳米棒复合的 ZnO 纳米线成放射状生长在其表面，ZnO 复 合结构出现较多的表面氧空位缺陷。二次生长所制备的 ZnO 复合结构的场发射性能明显优 于一次生长制备的 ZnO 纳米棒，其开启场强为 2.57 V/μm，场增强因子为 4457。 关键词：ZnO；复合结构；场发射 中图分类号：TB383; O462.4 Study on Field-emission Characteristic of ZnO Composite Structrue Liu Yuhui, Guo Tailiang, Ye Yun, Zhang Dian, Wu Wei, Lin Tihang (College of Physics and Telecommunication Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350002) Abstract: The ZnO composite structures of ZnO nanorods with ZnO nanowires have been successfully prepared by two-step growth, hydrothermal method and CVD method. The morphology and optical properties have been further investigated by Scanning Electron Microscope(SEM) and Photoluminescence(PL), respectively. The results show that ZnO nanowires are practically vertical on the surface of ZnO nanorods, and more oxygen vacancies are of existence in the composite structures. Their field emission properties have also been explored and the field emission performance of ZnO composite structures have been improved compared to ZnO nanorods, which have a low turn-on field of 2.57 V/μm. Key words: ZnO; composite structures; field emission 0 引言 ZnO 作为重要的宽禁带半导体材料，室温下其带隙为 3.37 eV，激子束缚能为 60 meV， 并具有较好的化学稳定性和热稳定性以及较高的机械强度。因此，可以作为理想的场发射阴 极材料，并因其可以延长场发射阴极材料的寿命而备受关注[1]。制备 ZnO 纳米材料的方法 主要包括：水热法、化学气相沉积 (CVD) 法、电泳法、磁控溅射法等。其中，前两种制备 工艺较之其他工艺具有仪器设备简单、成本低、操作简单等特点，因此是制备 ZnO 的常用 方法。 ZnO 具有丰富的结构，包括纳米线[2]、四针状[3]、片状[4]、纳米管[5]、纳米塔[6]等。目前， 对单一结构 ZnO 的场发射性能的研究已经有大量报道，而 ZnO 的复合结构可以改善其场发 射性能，因此也受到广泛关注。Yu Ling-min 等[7]利用热蒸发法和直流电泳法在 ITO 玻璃上 制备了 CNTs-ZnO 的复合结构，研究发现两者之间的结合为欧姆接触，并且由于 CNTs 具有 较低的电阻率，从而使复合结构的场发射性能得到提高，开启场强仅为 1.85 V/?m。但是， 由于 CNTs 极易氧化，这就使得该复合阴极的场发射稳定性变差。Zhixing Jiang 等[8]利用水 基金项目：教育部博导基金（20103514110007）；国家“863”重大专项资助项目（2013AA030601）；国 家自然科学基金61101169） 作者简介：刘玉会（1987