激发频率对硅烷等离子体放电参数的影响.pptVIP

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2017-09-14 发布于重庆
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激发频率对硅烷等离子体放电参数的影响.ppt

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激发频率对硅烷等离子体放电参数的影响庄娟王德真大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室 RHF-PECVD理论模型的建立一维自洽流体模型利用有限差分方法，对各种粒子的连续性方程、动量方程和电流平衡方程进行联立求解电子密度、离子密度的时空演化粒子的连续性方程粒子的动量方程负离子密度随频率变化电子密度随频率变化正离子密度随频率变化结论（1）频率增加，SiH3-密度增加（2）频率增加,电子密度和SiH3＋密度增加（3）频率增加,电场强度降低（4）控制纳米粒子的种子粒子SiH3-密度，可以改变纳米粒子的密度第十三届全国等离子体科学技术会议是粒子的密度和流密度和相应于电子、正离子和负离子边界条件：初始条件：，，电流连续性方程尘粒种子SiH3- 的密度随频率增加而增加，纳米尘粒密度增加。沉积速率提高频率增加,等离子体中电子密度增加，电子与硅烷气体分子碰撞频率增加, SiH3-和SiH3＋数量增加,沉积速率相应增加。正离子有比较高的速度，被加速离开等离子体，这些粒子的快速失去，避免它们在鞘层中进一步生长成大粒子。有利于纳米尘埃粒子的沉积。电场随频率变化频率增加电场强度降低。氢原子和离子能量降低,对薄膜表面的轰击作用减少，有利薄膜生长。 f=50MHz f=13.56MHz f=28MHz