Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响.pdfVIP

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34卷第9期 发 光 学 报 V。1.34N。.9 文章编号:1000.7032(2013)09—1167-06 Mn掺杂对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响 李 彤H,介 琼1,张 宇1,倪晓昌1,赵新为1,2 (1.天津职业技术师范大学电子工程学院,天津300222: 2.东京理科大学物理系.日本东京) 摘要:利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的znO:Mn薄膜。结合Raman光 的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437cm“和527cm“位置上 的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多:当Mn摩尔分数达到 15.8%时,647cm。处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到 了XRD和sEM结果的支持。 关键词:ZnO;Mn;拉曼;稀磁半导体 中图分类号:TB34:TB43文献标识码:A 167 DOI:10.3788/fgx1 ThinFilms Influenceof onTheStructure ofZnO:Mn Mn-doping Properties 1_2 LI Yu Xin-wei 1,NI TongH,JIEQion91,ZHANGXiao—chan91,ZHAO Electronics and (1.School UniversityofTechnologyEducation,,Tianjin300222,China of Engineering,Tianjin of 2.DepartmentofPhysics,To咖UniversityScience,Tokyo,Japan) }CorrespondingAuthor,E—mail:ltspring@sohu.vom thinfilmswithdifferentMnconcentrationwere on substratesat Abstract:ZnO:Mn preparedglass room RF method.Raman diffraction temperatureusingmagnetronsputtering spectroscopy,X-ray results andSEMwereusedto thestructuralcharacteristicsoftheZnO:Mnfilms.The spectra analyze

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