PVK空穴传输层对Ndq3近红外发光二极管性能的影响.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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PVK空穴传输层对Ndq3近红外发光二极管性能的影响.pdf

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第34卷第7期发光学报 v。1．34No．7 2013年7月 CHINESE JOURNALOFLUMINESCENCE Julv．2013-- 文章编号：1000-7032{2013)07-0888-06 PVK空穴传输层对Nd％近红外发光二极管性能的影响陈义鹏，辛传祯，罗程远，王丽师，葛林，张晓松，徐建萍，李岚+ (天津理工大学材料物理研究所显示材料与光电器件省部共建教育部重点实验室，天津300384) 340 果显示，在EL光谱中的905，l064，1 fiB处均观察到了荧光发射，分别对应于Nd3+的4F，，，一4I。，，、 4F3／2—，I。，以和4F耽—一113／2能级跃迁。与参考器件对比分析认为，PEDOT：PSS高的导电性降低了器件的串联电阻，增大了器件的工作电流；PVK与PEDOT：Pss共同降低了空穴的注入势垒．实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外，PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度，也是器件性能提高的原因之一。关键词：近红外发光二极管；空穴注入层；空穴传输层；8．羟基喹啉钕中图分类号：TN383+．1文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0888 ofPVKHole on Influence TransportLayer Near-infrared Diodes Ndq3 OrganicLightEmitting CHEN Chuan—zhen，LUO Yi-peng，XIN Cheng-yuan， WANG Lan‘ Li．shi，GE．Lin，ZHANG Xiao—song，XUJian—ping，LI (InstituteofMaterialPhysics，KeyLaboratoryofDisplayMaterialsandPhotoelectricDevices， Ministry 300384，China) ofEducation，TianjinUniversityofTechnology，Tianjin {CorrespondingAttthor．E。mail：lilan@qut．edu．cn Abstract：A near-infraredOLEDwithstructureof three—layered um was which fabricated，in tris一(8一hydroxyquinoline)(Ndq3)／A1 wash