微波场对BaSr3MgSi2O8∶Eu2Mn2荧光粉中Mn2 660 nm红光能量传递的影响.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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微波场对BaSr3MgSi2O8∶Eu2Mn2荧光粉中Mn2 660 nm红光能量传递的影响.pdf

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第34卷第8期发光学报 V01．34No．8 2013年8月 OFLUMINESCENCE CHINESEJOURNAL Aug．，2013 文章编号：1000—7032(2013)08旬976_06 微波场对(Ba，Sr)3MgSi208：Eu“，Mn2+荧光粉中 Mn2+660 nm红光能量传递的影响 4 王龄昌1，陆启飞2…，李建1’2，王达健1’3 (1．天津理工大学材料物理研究所，天津300384；2．天津理工大学天津光电材料与器件重点实验室，天津300384 3．显示材料与光电器件教育部重点实验室天津理工大学，天津300384) 摘要：研究了2．45 nm红光发射强度的影响。在相同的加热温度条件下，增加微波场的输出功率，微波非热效应导致Eu2+离子蓝光的跃光发射增强。提出了一种微波场非热效应对能量传递影响的新观点，认为在微波加热过程中强微波磁场可能会对像Mn2+这样具有顺磁性的激活剂离子的能级结构和能量传递性质产生干扰作用。 nm；能量传递；微波功率关键词：(Ba，Sr)3MgSi208：Eu，Mn；660 中图分类号：0482．31 文献标识码：A DoI：10．3788／‘g)【0976 on TransferofMn2+660 E俄ctofMicrowave I吼-emitting Energy WANG Qi．fei2…，LIJianl”，WANGDa-jianl，3+ Ling．chan91，LU 300384，饥iM； (1．加t如眦矿讹￡砌如珊弘如，‰彬n‰iw”盼妒死c^，10蛔，弛蛳n 300384，吼i眦； 2．nⅡ彬n研k60mto，y加r肌。姚fe“ron幻肘n￡e^Ⅱ如口以肋幻∞，no彬n咖妇珊妙旷n砒Mfogy，nn面n n以肌o￡oef删ron掂砒如部(死Ⅱ彬n踟沁珊蚵矿‰^加209y)， 3．缸y如60m胁，y∥D卸z掣．】lIrn￡讹b 300384，吼讹) 胁n括f，y旷刖Ⅷ如n，‰彬n }c0丌蜘po蒯ingA眦br，E一瑚“：砭触帆g@咖￡．以u．cn was 2．45GHz tem— synthesizedbyusing high Abstract：(Ba，Sr)3MgSi208：Eu2+，Mn2+phosphor microwaVenon—the珊alefkctonthe peraturemicmwave(MW)ata百v