沟道宽度对ZnOTFT电学性能的影响.pdfVIP

第34卷第8期 发 光 学 报 V01．34No．8 2013年8月 CHINESE OFLUMINESCENCE JOURNAL Aug．，2013 文章编号：1000—7032(2013)08—1046．05 沟道宽度对znO．TFT电学性能的影响 苏 晶，莫昌文，刘玉荣 (华南理工大学电子与信息学院，广东广州510640) 摘要：用射频磁控溅射法生长的zno薄膜作为有源层，制备出了zno基薄膜晶体管(zno．TFT)，并在空气环 境下350cc退火1 h，研究了沟道宽度对zn0．TFT器件性能的影响。实验结果表明：阈值电压随着沟道宽度 的减小而增加，这是由于沟道越窄，载流子被捕获的几率越大，在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小，相 应的阈值电压就越大；饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加，认为这是由源／漏电阻的侧壁效应及边缘电 子场效应引起的附加电流所致。 关键词：沟道宽度；氧化锌；薄膜晶体管 文献标识码：A 中图分类号：TN321+．5；0472+．4 DOI：10．3788／妞1046 EffectsofChannelWidthonTheElectrical of Properties ThinFilm ZnO．based Transistor SU Jing，MOChang-wen，LIUYu-rong+ (Sc^00fo厂日emron证。凡d蜘m口fion 510640，矾i舳) E增i础e^昭，舶u砘∞ino№西P倦妙矿死c^nofogy，G眦，孵^ou }corre叩。以i增Au琥or，E一埘n以：p^纱@scu￡．edu．c几 thin6lm ZnOactive were Abstract：ZnO—based transistors(Zn0一T兀’s)withRF-spunered layer at annealedat hin air fabricatedroom then 350℃for1 the environment．EHbcts temperature。and ofchannelwidthontheelectrical ofZnO-TFTswere threshold pmperties inVestigated．TheV01tage increaseswiththedecreaseofthechannelwidth．thatisbecausethemorenan-0werthechannel width ofcaⅡiersis lessfkecarriersareunderthe is，themore铲eaterprobability captured，the same thatthemore thethresholdis．Thesaturationcarrier gatevoltage，so greater