结温对GaN基白光LED光学特性的影响.pdfVIP

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第34卷第9期 发 光 学 报 V01.34No.9 2013年9月 CHINESE OFLUMINESCENCE joURNAL Sept.,2013 文章编号:1000-7032(2013)09—1203-05 结温对GaN基白光LED光学特性的影响 钟文姣,魏爱香,招 瑜。 (广东工业大学材料与能源学院,广东广州510006) 摘要:制备了一个可测量n型GaN材料电阻的白光LED样品,测量了从室温到170℃下的LED芯片的 n.GaN材料的电阻。发现n—GaN材料的电阻随温度的升高而增大,且两者呈一定的指数关系。利用这一特性, 通过测量LED工作状态下内部所用GaN材料的电阻。可以实现对LED结温的测量。通过改变积分球底板温 度使LED样品处于不同的结温下,测量了白光LED的光谱及色度学参数,结果表明:白光LED的峰值波长、 显色指数、色温、光通量均与结温成一定的线性关系。 关键词:发光二极管;结温;电阻;光谱;色度学参数 中图分类号:TN312.8 文献标识码:A DOI:10.3788/fgx1203 on ofGaN-basedWlliteLEDColorimetricParameters Dependence Junction Temperature ZHONG Yu+ Wen-jiao,WEIAi-xiang,ZHAO and (SchoolofMaterialEnergy,GuangdoagUniversityofTechnology,Guangzhou510006,China) }CorrespondingAuthor,E—mail:zhaoyu@gdut.edu.cn be theresistanceofn。 whiteLED wasfabricatedwhichcan usedtocharacterize Abstract:A sample GaNatthe of20to170oC.Theresultsrevealan relationbetweenresistanceand range exponential isutilizedtodetect ofLED there- relation temperature bymeasuring temperature.This junction chip sistanceofn—GaNina LED.ThewhiteLED indifferent was working junction working temperature achieved the ofitsheatsink.Theircolorimetric are

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