初始化生长条件对aGaN中应变的影响.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.61万字
约 5页
2017-09-14 发布于湖北
举报
版权申诉

初始化生长条件对aGaN中应变的影响.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第33卷第6期发光学报 VoL33 No．6 2012年6月 CHINESE 0FLUMINESCENCEJun．．2012 JOURNAL 文章编号：1000-703212012)06-0581-05 初始化生长条件对口．GaN中应变的影响贾辉1”，陈一仁1’2，孙晓娟1’2，黎大兵h，宋航1，蒋红1，缪国庆1，李志明1 (1．发光学及应用国家重点实验室中围科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春130033 2．中国科学院研究生院，北京1011039) 摘要：利用高分辨x射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Ramanscatteringspectra)研究了氮化处理与低温 AIN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP—MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的n面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明：与氮化处理后生长的mGaN相比，使用低温AIN缓冲层后生长的n—GaN具有较小的摇摆曲线的半高宽和较低的残余应变，而且其结构各向异性和残余应变各向异性也均有一定程度的降低。因此，与氮化处理相比，低温AIN缓冲层更有利于n．GaN的生长。关键词：a-GaN；各向异性；掩曼散射光谱；残余应变中圈分类号：0471 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0581 EffectofInitial ConditionsonTheStrainin GaN Growth a-plane JIAHuil”，CHENYi．renl”，SUN Xiao-juanl”，LIDa．bing“， SONG Hang‘。JIANGHon91，MIAOGuo—qin91，LIZhi—ming。 and Institute (1．State妍幻胁细_yofLuminescenceApplications，Changchunof唧f洒 FineMechanicsand Physics．ChineseAcademyof渤，Changchun130033．China； 2．Graduate UniversityofChineseAcademy矿＆栅。Being100039，China) $CorrespondiagAuthor．E-ma／／：l／db@c／omp．∞．m effectofnitridationtreatmentandthelOW bufferonstructure Abstract：The temperature(LT)A1N andstrain GaN on low chemical epilayemgrownr—planesapphireby pressuremetalorganic ofⅡ-plane been resolutiondiffraction vapor investigatedbyhigh X—ray deposition(LP·MOCVD)has